MOS器件是一种广泛应用于集成电路中的场效应晶体管。在MOS器件中，栅极上加上电压后，会形成一个电场，从而控制导体中的载流子流动。MOS器件可以分为耗尽层型和反型层型两种，它们在工作原理和结构上有着明显的区别。

首先，我们来看耗尽层型MOS器件。在这种器件中，当栅极上的电压为零时，沟道中会存在一定数量的载流子，这种情况下形成的电压-电子流关系称为耗尽层。当栅极上加正电压时，电场会使沟道中的负载流子流动，产生导电特性。因此，在耗尽层型MOS器件中，栅极上的正电压会增大电子密度，从而形成导电状态。

而在反型层型MOS器件中，当栅极上加正电压时，其作用是将绝缘层中的电子排斥至基底中，从而形成一个反型的沟道。这种器件不需要沟道中本身就存在载流子，而是通过栅极上的电场控制载流子的分布。因此，反型层型MOS器件的导电特性完全由栅极控制，相对于耗尽层型器件具有更好的性能。

总的来说，耗尽层型MOS器件在工作原理上依赖于沟道中的载流子，而反型层型MOS器件则是通过栅极控制载流子分布。两者在结构和性能上有明显区别，但都在集成电路中有着重要的应用。随着科技的不断进步，MOS器件的设计和制造技术也在不断演进，为集成电路的发展做出了重要贡献。