场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，用于控制电流的流动。其中n-MOSFET和p-MOSFET是两种常见的MOSFET类型，其工作原理和特性有所不同。

n-MOSFET是n型MOS场效应管的简称，它的基础结构是以n型硅作为基底的场效应管。n-MOSFET的导通特性是通过从栅极到基底施加一个正电压来实现的。当栅极上的电压高于阈值电压时，n-MOSFET导通，电流从漏极经过。n-MOSFET广泛用于数字电路中的开关和放大器中的增益器件。

相反，p-MOSFET是一种p型MOS场效应管，其基底是p型硅。p-MOSFET的导通特性与n-MOSFET相反，需要从栅极到基底施加一个负电压才能实现。当栅极上的电压低于阈值电压时，p-MOSFET导通，电流从源极经过。p-MOSFET常用于数字电路中与n-MOSFET相互搭配进行逻辑门电路的设计。

要区分n-MOSFET和p-MOSFET，可以通过外接电路中栅极与基极之间的电压判断。如果需要正电压来驱动，则为n-MOSFET；如果需要负电压来驱动，则为p-MOSFET。此外，还可以通过阈值电压的正负来判断MOSFET的类型。n-MOSFET的阈值电压为正，而p-MOSFET的阈值电压为负。

总的来说，n-MOSFET和p-MOSFET在工作原理和导通方式上有所不同，但它们都是重要的电子器件，广泛应用于集成电路和数字电路的设计中。对于电子工程师和电子爱好者来说，理解n-MOSFET和p-MOSFET的特性是非常重要的。