N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS管）是一种常见的场效应晶体管，它是由金属氧化物半导体（MOS）结构组成的。NMOS管是一种n型的MOS管，其工作原理基于外加门电压改变导体导电性质的原理。在NMOS管中，物质通过沟道电流从源极（Source）流向漏极（Drain），而控制沟道电流的则是门极上的电场。

NMOS管的基本构造包括源极、漏极和门极。源极和漏极之间由P型半导体形成的n沟道连接，门极则是通过氧化层与半导体隔离。当在门极上加上正电压时，由于门极与源极之间的正电荷排斥，导致n沟道区域的电子浓度增加，从而形成导电通道。当源极-漏极间的电压足够高时，电子将在n沟道中形成电流并流向漏极，达到开启的状态。反之，当门极上的电压为零或负时，n沟道中的电子浓度减少，导电通道关闭，NMOS管处于关断状态。

NMOS管可以用于各种电路中，例如数字集成电路中的逻辑门、存储单元等。在实际应用中，通过适当设计电路可以实现基本逻辑功能。例如，通过串联或并联多个NMOS管可以构建与、或、非等逻辑门，实现逻辑运算和控制。

综上所述，NMOS管是一种重要的场效应晶体管，其工作原理基于外界电场改变导体导电性质的原理，通过控制门极电压可以实现导通和截止状态。在实际电路设计中，NMOS管的组合可以实现各种逻辑功能，广泛应用于数字集成电路和计算机系统中。