金属氧化物半导体场效应管（MOS管）是一种常用的场效应晶体管，具有高输入电阻、低输入电流、高速开关和可靠性好等特点。在实际电路应用中，为了保护MOS管，常常会在其栅极（G）和源极（S）之间并联一个阻容器件。

这种并联的阻容器件在电路中起到了多重作用。首先，阻容器件可以限制输入信号的上升速度，避免由于瞬态电流过大对MOS管进行过载，从而提高了MOS管的抗干扰能力和稳定性。其次，阻容器件可以起到隔直耦合的作用，将直流信号和交流信号进行有效分离，确保信号正常传递。此外，阻容器件还可以减小电路中的共模干扰，提高信噪比，使电路工作更加可靠。

在实际电路设计中，要根据具体的应用要求选择合适的阻容数值。一般来说，选择阻容器件的阻值要大于MOS管的输入电阻，以确保信号传输的有效性和稳定性。而容值则根据信号频率和要求来决定，一般建议选择适中的容值，既能实现滤波效果，又不会对信号造成明显的滞后。

总的来说，MOS管GS两端并联阻容是一种常见且有效的电路设计手段，可以提高电路的性能和稳定性，同时保护MOS管不受损坏。在实际应用中，设计师需要根据具体情况进行合理选择，确保电路工作稳定可靠。最终的目标是实现电路的稳定运行，提高整体系统的性能和可靠性。