场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体器件，常用于放大、开关和调节电流。它具有高输入电阻、低输入电流以及良好的频率特性，因此在电子设备中广泛应用。

场效应管的参数包括漏极电流（ID）、漏极-源极电压（VDS）、栅极-源极电压（VGS）、增益、导通电阻等。这些参数通过数据手册或规格表来确定，以便工程师在设计电路中选择最适合的器件。

场效应管的命名方法通常采用缩写，如MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）、JFET（结型场效应管）等。其中，MOSFET又分为N沟道型（n-channel）和P沟道型（p-channel），根据不同的工作原理和材料组合来区分。

场效应管的作用主要是改变输入信号的电流和电压，实现放大、开关和调节等功能。比如在功放电路中，场效应管可以放大音频信号，使声音更响亮；在数字电路中，场效应管可以实现逻辑运算，完成数据处理。

场效应管的工作原理是通过栅极电压控制漏极-源极间的电场强度，从而调节漏极电流的大小。在MOSFET中，栅极与绝缘层隔离，可以通过改变栅极电压来控制通道的导电性；而在JFET中，则是通过栅极的控制电压调节漏极-源极之间的通道电阻。

总的来说，场效应管作为一种重要的半导体器件，在现代电子技术中扮演着至关重要的角色，为各种电路和设备的正常运行提供了稳定的电流和电压控制。