什么是浮栅场效应管？干货解析
更新时间：2026-02-25 09:06:28
晨欣小编
浮栅场效应管（Floating Gate Field Effect Transistor，缩写为FGFET）是一种非常重要且特殊的器件，常被应用于存储器件中。其工作原理是利用浮栅电荷来控制通道的导电性。
浮栅场效应管的结构包括源极、漏极、控制栅和浮栅。源极和漏极之间的通道中包含一个绝缘的浮栅，该浮栅能够储存电荷。当需要改变通道的导电性时，可以通过控制栅施加电压，使得通道中的电荷发生变化。
浮栅场效应管主要应用于非易失性存储器件中，如Flash存储器。在Flash存储器中，每个存储单元都包含一个浮栅场效应管，其典型工作原理是通过给浮栅施加电压，将电荷注入或排出通道中，从而实现信息的写入和擦除。
浮栅场效应管具有很多优点，如高速写入和擦除速度、较长的数据保存时间、良好的可靠性等。因此，它在存储器件中得到了广泛的应用。
总的来说，浮栅场效应管是一种非常重要的器件，其独特的工作原理和优越的性能使得它在存储器件领域具有重要的地位。希望本文的干货解析能帮助读者更深入地了解浮栅场效应管的特点和应用。【文章结束】
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