场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，它可以控制电流流经的路径。相比于另一种常见的晶体管----双极型晶体管，FET有着更高的输入电阻，更低的噪声水平和更高的频率响应，因此在许多领域得到了广泛应用。

根据控制电流的方式，FET可分为三种类型：场效应晶体管（FET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅场效应管（IGFET）。其中，最常见的是MOSFET，它由栅极、漏极和源极组成，通过改变栅极电压可以控制漏极和源极之间的电流流动。

FET的工作原理是利用电场调控半导体中载流子浓度的分布，从而控制电流的流动。当栅极施加电压时，形成的电场就会改变半导体中的空穴和电子的浓度，进而影响电流的大小。

FET在电子学领域有着广泛的应用，比如作为放大器、开关、变压器等。在数字电路中，FET可以用来实现逻辑门、存储器和微处理器；在模拟电路中，FET可以用来放大和调节信号；在射频电路中，FET可以用来实现无线通信和天线驱动等。

总的来说，场效应管是一种功能强大的半导体器件，具有高频率响应、低噪声、高输入电阻等优点，因此在现代电子工业中占据着重要的地位，为各种电子设备的正常运行提供了关键支持。