场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种使用外部电场控制电子的半导体器件，是现代电子设备中最常用的器件之一。场效应管通过控制电场信号来控制电流，发挥着重要的放大和开关作用。

场效应管主要分为两种类型：栅极极性不同的MOS场效应管（金属氧化物半导体场效应管）和栅极极性相同的JFET（结界面场效应管）。
JFET的栅极是空间特别掺杂后的PN结，其导电方式是基于电场控制沟道电阻而形成的，其主要结构是PN结和漏极端。

在工作中，FET中的栅极电压将控制静电场，从而控制源漏端间导电性。如在N沟道器件中，当栅极正电压施加时，在沟道中形成横向电场，使N型沟道激发空穴电流从栅极源漏端汇聚流动，形成漏极输出电流。因此，电压控制了源漏电流。

FET的工作原理可以简单理解为：当栅极电压增加时，静电场增强，N型沟道中电子浓度增加，导致源漏端间电导增加，从而导致输出电流增大；反之，当栅极电压减小时，静电场减弱，N型沟道中电子浓度减小，导致电导减小，输出电流减小。

因此，场效应管的工作原理是通过调节栅极电压来控制源漏电流，实现信号的放大和开关控制。这种电压控制技术使得场效应管在电子设备中得到了广泛应用，成为了重要的电子器件之一。