CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）与PMOS/NMOS（Positive/Negative Metal-Oxide-Semiconductor）工艺是现代集成电路制造中最常用的工艺之一。它们结合了p型MOSFET和n型MOSFET的特性，能够在晶体管上实现高性能和低功耗的电路设计。本文将介绍CMOS与PMOS工艺，分别从产品介绍和原理详解两个方面进行讨论。

首先，我们来看一下CMOS工艺产品介绍。CMOS工艺是一种利用pMOS和nMOS进行逻辑设计的技术。在CMOS电路设计中，当pMOS开启时，nMOS关闭；当nMOS开启时，pMOS关闭。这种互补的开关机制使得CMOS电路能够在极低功耗的条件下实现高性能。CMOS工艺被广泛应用于数字集成电路、微控制器和微处理器等领域。

接下来，我们来详细解释CMOS工艺的原理。CMOS工艺的核心是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。pMOS和nMOS的工作原理分别是基于p型和n型掺杂的硅衬底上形成的沟道。在pMOS中，当正电压加到栅极上时，沟道形成，电流开始流动；在nMOS中，当负电压加到栅极上时，同样会形成沟道，电流开始流动。CMOS电路通过pMOS和nMOS的协同工作实现逻辑电路功能。

另外，我们还要介绍一下PMOS工艺。PMOS工艺是一种利用pMOS进行逻辑设计的技术。在PMOS电路设计中，当输入为0时，输出为1；当输入为1时，输出为0。PMOS电路通常用于低功耗应用，例如电源管理和信号放大器。

总的来说，CMOS与PMOS工艺在现代集成电路的设计中起着至关重要的作用。它们能够实现高性能、低功耗的电路设计，并被广泛应用于各种领域。通过对CMOS与PMOS工艺的产品介绍和原理详解，我们可以更好地理解这两种工艺的特点和优势。