CMOS噪声是指在CMOS集成电路中产生的噪声。在CMOS电路中，由于器件尺寸变小和电源电压降低，因此噪声问题变得更加重要和复杂。

CMOS噪声主要分为两类：一类是随机噪声，另一类是非随机噪声。随机噪声是由热激发和载流子转移引起的，是无规律的，难以消除的。非随机噪声则是由电路中的非线性元件或电路不稳定性引起的，具有一定规律性，可以通过设计和优化来降低。

CMOS噪声对集成电路的性能和稳定性有着重要影响。在放大器、滤波器等模拟电路中，噪声会导致信噪比下降，影响系统的灵敏度和分辨率；在数字电路中，噪声会引起误码率增加，降低系统的可靠性。因此，如何有效地抑制CMOS噪声成为了集成电路设计中的重要问题。

为了降低CMOS噪声，可以采取一系列措施。首先是优化电路结构和布局，在设计中尽量减少噪声源的影响；其次是采用低噪声设计技术，如差分对消、共模抑制等手段；此外，还可以通过选择合适的工艺参数和工作条件来降低噪声水平。同时，通过合理的电源和接地设计，可以有效抑制噪声的传播和干扰。

总的来说，CMOS噪声是集成电路设计中需要重点关注的一项问题，对电路性能、功耗和稳定性都有着重要影响。通过合理的设计和优化，可以有效地降低噪声水平，提高系统的性能和可靠性。