FET简述（原理、结构、分类）-FET（场效应晶体管）的应用
更新时间：2026-02-04 09:34:23
晨欣小编
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种常用的半导体器件，用来放大电信号或作为电子开关。与双极晶体管相比，FET具有更高的输入电阻和更广泛的频率响应范围。
FET的工作原理是通过控制一个电场来控制载流子的流动。根据电场的不同，FET可以分为三种类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），JFET（结型场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管）。
MOSFET是应用最广泛的场效应晶体管，其结构由金属栅、绝缘层和半导体组成。当在金属栅上加上一定电压时，形成的电场会调制半导体中的载流子浓度，从而控制电流的通过。
JFET是一种使用PN结作为控制栅的场效应晶体管。当在栅上加电压时，形成的电场会调制导体中的导电性，从而控制电流的通过。
IGBT是一种结合了MOSFET和双极晶体管特性的器件。它结构复杂，但性能优越，在高功率电子设备中得到广泛应用。
FET具有许多应用领域，例如放大电路、开关电路、射频电路和功率放大器等。随着半导体技术的不断发展，FET的性能将进一步提高，其应用范围也将继续扩大。
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