三极管的工艺特点
晨欣小编
2023-02-14 11:11:38
发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小；
基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低；
集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！
工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。
海量现货云仓
闪电发货
原厂正品 品质保障
个性化采购方案
周一至周日8:00-18:00
(仅收市话费)
Copyright © 2016-2024 BOM电子元器件商城 版权所有 保留一切权利 备案号: 粤ICP备14093259号
售前客服