2023-04-17 20:35:13

MOSFET管是一种半导体器件，应用广泛，性能稳定，因此备受关注。了解MOSFET管的的参数名称和具体含义可以帮助我们更全面地了解这种器件，具体解析如下：

1. 硅区域 (Silicon area)

这个参数指的是MOSFET硅片的尺寸，因为这个硅区域的大小会直接影响到器件的电学性能，例如漏电流等等。

2. 负温度系数电阻 (Negative temperature coefficient (NTC) resistor)

NTC电阻是指其电阻值在温度升高时会递减的电阻，NTC电阻在MOSFET器件中是一种内部反馈电路的方式，起到保护作用。在MOSFET器件中，NTC通常位于硅片上方，与N型注入区连接。

3. 阈值电压 (Threshold voltage)

阈值电压是指MOSFET进入放大状态（导通状态）时所需的最低电压。阈值电压通常是器件工作电压少于它时的电流非常小的那个电压。阈值电压的大小决定了器件的低频特性和扭曲度。

4. 最大漏极—源极电压 (Maximum Drain-Source Voltage (Vds.max))

这个参数指的是MOSFET器件最大的漏极-源极电压，一旦该电压超过了这个值，器件就会发生击穿。

5. 最大漏极电流 (Maximum Drain Current (Id.max))

这个参数指的是MOSFET器件最大的漏极电流，一旦该电流超过了该值，器件就有可能被烧毁。

6. 阻抗 (Impedance)

阻抗是指器件在不同工作状态下所呈现出的阻力，它对于器件的放大特性、损失和传输带宽有着一定的影响。

7. 开启电容 (Turn-On Capacitance (Ciss))

开启电容是指飞狮特管在静态开启状态下各极（漏极、门极、源极）所形成的电容值总和，其中由于增加了门电压而承载的电荷是形成总电容的主要物理原因。

8. 关断电容 (Turn-Off Capacitance (Coss))

关断电容是指 MOSFET器件在静态关断状态下各极（漏极、门极、源极）所形成的电容值总和，其中由于减少了门电压而失去的电荷是形成总电容的主要物理原因。

9. 前沿上升时间 (Rise Time (t r))

前沿上升时间是指当一个大信号被加到器件的输入端时，信号从10%到90%所需的时间。前沿上升时间衡量了MOSFET切换速度的快慢，通常的时间为数纳秒。

10. 下降时间 (FallTime (t f))

下降时间是指当信号的幅度从最大值变为零时所需的时间。下降时间通常比前沿上升时间长。

综上所述，MOSFET管的参数非常多，需要根据实际需求来选择适合的器件。对于电子工程师来说，理解这些参数的物理意义，可以更好的指导器件的选型及应用。