2023-04-17 21:39:12

晶体管是电子设备中非常重要的元器件，其中MOS管是最常用的晶体管之一。为了确保MOS管的正常工作，需要对其相关参数进行测试。本文将介绍MOS管参数测试方法，以N沟道MOS管为例进行详细说明，并对测试方法进行科学分析。

测试步骤：

1. 确认器件参数：在进行参数测试之前，首先需要确认所使用的MOS管型号、参数范围和测试仪器的可用范围。

2. 准备仪器：测试MOS管参数需要一些专用的测试仪器，例如静态I-V测试仪、交流参数测试仪、无源器件测试仪、LCR测试仪、高阻抗测试仪和精密显示仪等。需要根据具体的测试需求，选择合适的测试仪器。

3. 连接测试仪器：将测试仪器连接到MOS管的引脚上，确保测试仪器与被测试器件之间的接口稳定可靠，避免测试结果受到干扰。

4. 测试寄生电容：由于寄生电容会影响输出信号的质量和误差，因此需要测试MOS管引脚之间的寄生电容。其中，通常使用交流参数测试仪来完成这项测试，在测试过程中电容的值应该越小越好。

5. 测试漏电流：漏电流是MOS管的一个非常重要的参数，它会对器件的精度和可靠性产生很大的影响。漏电流的测试通常是在已知的偏置电压下进行的，由于这个参数是随着时间而变化的，因此测试应该在芯片的后期制造阶段进行。

6. 测试迁移电阻：迁移电阻是MOS管的另一个重要参数，它可以反映出漏电流所在的闭合区域的大小。迁移电阻测试通常是通过静态I-V测试仪进行的，需要在已知的基极电阻条件下进行测试。

7. 测试截止频率：截止频率是MOS管的另一个重要指标，它通常用来描述器件对高频信号的适应能力。测试截止频率可以使用无源器件测试仪和LCR测试仪，条件是需要在测试之前先对样品进行展平和精细