AOZ1282CI中文资料规格参数
晨欣小编
概述
AOZ1282CI 是一款由 AOS Semiconductor 生产的 30V、2A N 沟槽 MOSFET。它是一款通用型 MOSFET，可用于各种应用，例如电源、电机控制和开关电路。
主要规格
漏极-源极电压 (VDS)：30V
连续漏极电流 (ID)：2A
峰值脉冲电流 (IDM)：3.3A
栅极-源极电压 (VGS)：±20V
栅极电荷 (Qg)：11nC
导通电阻 (RDS(ON)): 25mΩ (typ.)
封装: SO-8
应用
电源供应
电机控制
开关电路
通用功率开关
中文资料
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