EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET
晨欣小编
EPC（Efficient Power Conversion）最近宣布推出了他们首款具有最低1mΩ导通电阻的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该产品引入了一个新的纯GaN材料制造工艺，为高效率和高频率应用提供了全新的解决方案。
这款新的GaN FET产品号称具有Industry-Leading的性能，包括最低的1mΩ导通电阻，以及超高的开关速度和能量效率。这使得它成为电源转换器和功率逆变器中的理想选择，尤其是在需要高效能和紧凑设计的应用中。
根据EPC的创始人和首席执行官Alex Lidow博士的说法，这款新产品将带来“一个技术上的飞跃，为电源系统设计师提供了新的可能性，能够实现更高的功率密度和更高的效率”。
除了具有极低的导通电阻外，这款GaN FET还具有高频率操作的能力，可以在MHz范围内运行，从而减少电源转换器的尺寸和成本。这使得它尤其适用于5G通信、电动汽车和工业应用等领域。
EPC表示，他们的目标是继续推动氮化镓技术的发展，使其成为下一代高性能电源转换器的主流选择。这款新的GaN FET产品正是这一努力的体现，展示了EPC在高性能功率半导体领域的领导地位。
总的来说，EPC首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET产品的推出，将为电源系统设计领域带来突破性的进展，为实现更高效率、更紧凑的设计提供了新的可能性，将对未来的高性能电源转换器技术产生深远影响。
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