辰达半导体(MDD)TVS二极管 SMBJ120A 120V SMB(DO-214AA) 单向参数资料解析

一、 产品概述

辰达半导体(MDD)SMBJ120A 120V SMB(DO-214AA) 单向瞬态电压抑制二极管（TVS Diode）是一款高性能、高可靠性的半导体器件，专为保护敏感电子设备免受瞬态电压冲击而设计。它采用先进的表面贴装SMB封装（DO-214AA），具有极快的响应速度、优异的电压钳位性能以及可靠的过载保护能力，广泛应用于各种电子设备中，例如：

* 电源电路: 保护电源系统免受雷击、浪涌和电磁干扰等瞬态电压冲击。

* 数据通信系统: 保护数据线路免受静电放电（ESD）和电源线噪声的影响。

* 工业控制系统: 保护工业设备的敏感电路免受电气故障和环境因素的冲击。

* 汽车电子系统: 保护汽车电子设备免受电气故障和瞬态电压的影响。

二、 关键参数解析

1. 最大反向工作电压（VRWM）：120V

VRWM 指在规定的工作条件下，器件能够承受的最大反向工作电压。SMBJ120A 的 VRWM 为 120V，意味着它能够承受高达 120V 的反向直流电压，而不会发生击穿。

2. 峰值脉冲功率（PPW）：1000W

PPW 指器件在规定的条件下能够承受的最大脉冲功率。SMBJ120A 的 PPW 为 1000W，表示它能够在短时间内承受高达 1000W 的脉冲功率，从而有效地抑制瞬态电压冲击。

3. 钳位电压（VC）：135V

VC 指在规定的工作条件下，器件发生导通后，能够将瞬态电压钳制在的最高电压值。SMBJ120A 的 VC 为 135V，这意味着当器件处于导通状态时，能够将超过 120V 的瞬态电压钳制在 135V 以下，从而保护后端电路不受损坏。

4. 响应时间（tr）：1ns

响应时间指器件从反向偏置状态到导通状态所需的响应时间。SMBJ120A 的 tr 为 1ns，这意味着它能够在 1ns 内响应瞬态电压冲击，并迅速将电压钳制在安全范围内。

5. 漏电流（IL）：100uA

漏电流指器件在反向偏置状态下，从阴极到阳极的漏电流。SMBJ120A 的 IL 为 100uA，表示在正常工作条件下，器件的反向漏电流很小，不会对电路造成影响。

6. 结电容（CJ）：4pF

结电容指器件在反向偏置状态下的电容值。SMBJ120A 的 CJ 为 4pF，表示器件的结电容很小，不会对高频电路造成负面影响。

7. 封装尺寸：SMB(DO-214AA)

SMBJ120A 采用 SMB(DO-214AA) 封装，尺寸小巧，易于安装，适合于各种电子设备的电路板设计。

三、 工作原理

SMBJ120A 是一种单向 TVS 二极管，其工作原理基于 PN 结的雪崩效应。当瞬态电压冲击发生时，器件的 PN 结会发生雪崩击穿，导致器件的电阻率急剧下降，将瞬态电压钳制在安全范围内。

四、 应用场景

* 电源系统：保护电源系统免受雷击、浪涌和电磁干扰等瞬态电压冲击。

* 数据通信系统：保护数据线路免受静电放电（ESD）和电源线噪声的影响。

* 工业控制系统：保护工业设备的敏感电路免受电气故障和环境因素的冲击。

* 汽车电子系统：保护汽车电子设备免受电气故障和瞬态电压的影响。

* 其他应用：医疗设备、航空航天、消费电子产品等。

五、 优势

* 高性能：快速响应速度，优异的电压钳位性能，高脉冲功率承受能力。

* 高可靠性：优异的耐压性能，低漏电流，长期稳定可靠。

* 小尺寸：采用 SMB(DO-214AA) 封装，尺寸小巧，易于安装。

* 高性价比：提供高性价比的瞬态电压抑制解决方案。

六、 注意事项

* 选择合适的 TVS 二极管：根据应用场景和需求选择合适的 TVS 二极管，特别是 VRWM 和 PPW 的选择。

* 正确安装：确保器件的正确安装方向，并注意安装的防静电措施。

* 散热：在高功率应用中，需要考虑器件的散热问题。

* 防潮：注意器件的防潮措施，避免受潮损坏。

七、 总结

辰达半导体(MDD)SMBJ120A 120V SMB(DO-214AA) 单向瞬态电压抑制二极管是一款高性能、高可靠性的 TVS 器件，能够有效地保护电子设备免受瞬态电压冲击。它具有快速响应速度、优异的电压钳位性能、高脉冲功率承受能力、小尺寸、高性价比等优势，广泛应用于各种电子设备中。