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辰达半导体MOS管性能解析及选型指南

更新时间：2025-12-04 09:52:01

晨欣小编

一、MOSFET性能指标全解析

MOSFET的性能评估主要围绕以下核心参数展开：

参数名称

含义与影响


V<sub>DS</sub>	最大漏极-源极电压，决定MOS能承受的最大系统电压
I<sub>D</sub>	最大漏极电流，决定MOS可驱动的负载大小
R<sub>DS(on)</sub>	导通电阻，影响功耗、发热，数值越小越优
Q<sub>G</sub>	栅极总电荷，影响开关速度与驱动功率，值越小越适合高频应用
V<sub>GS(th)</sub>	栅极开启电压，决定MOS开通阈值，与驱动芯片电压匹配相关
封装热阻	影响器件散热性能，与功率密度直接相关

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