辰达半导体(MDD) TVS 二极管 SMBJ18A 18V SMB(DO-214AA) 单向参数资料

一、 简介

SMBJ18A 是一款由辰达半导体 (MDD) 生产的单向瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，采用 SMB(DO-214AA) 封装，额定电压为 18V。该器件属于低压 TVS 二极管，主要用于保护敏感电子元件免受瞬态电压尖峰的损坏，例如电气噪声、静电放电 (ESD) 和雷击。

二、 技术参数

| 参数 | 值 | 单位 | 说明 |

|--------------------|-----------|-------|----------------------------------------------------------------------|

| 额定电压 (VR) | 18 | V | 额定工作电压 |

| 反向电流 (IR) | 100 | μA | 反向电压为 VR 时，允许的最大漏电流 |

| 峰值脉冲电流 (IPP) | 32 | A | 单个脉冲持续时间 ≤ 10μs，最大峰值电流 |

| 钳位电压 (VC) | 25 | V | 当电流达到 IPP 时，二极管的钳位电压 |

| 响应时间 (tr) | ≤ 1ns | ns | 从峰值电流开始到钳位电压达到 90% 时的时间 |

| 工作温度 (TO) | -55~+150 | ℃ | 器件正常工作的温度范围 |

| 存储温度 (TS) | -65~+150 | ℃ | 器件长期存储的温度范围 |

| 封装 | SMB(DO-214AA) | | 小型表面贴装封装，适合空间有限的应用 |

三、 工作原理

SMBJ18A TVS 二极管的工作原理基于 PN 结的雪崩效应。当反向电压超过其额定电压时，PN 结内部的电场强度会急剧增加，导致雪崩效应发生。在这个过程中，大量载流子被加速并与晶格中的原子碰撞，产生更多的电子空穴对，从而导致电流迅速增加。这种雪崩效应会将电压箝位在一定的范围内，从而保护敏感器件不受瞬态电压尖峰的损坏。

四、 特点

* 快速响应时间: 响应时间小于 1ns，能够有效地抑制快速上升时间的瞬态电压尖峰。

* 低钳位电压: 钳位电压仅为 25V，可以最大程度地降低对器件的影响。

* 高脉冲电流容量: 峰值脉冲电流高达 32A，可以承受较大的瞬态电流冲击。

* 宽工作温度范围: 温度范围从 -55℃ 到 +150℃，适用于各种环境。

* 小型封装: SMB(DO-214AA) 封装，体积小巧，适合空间有限的应用。

五、 应用

SMBJ18A TVS 二极管适用于各种需要保护敏感电子元件的应用，例如：

* 电源电路: 保护电源电路免受浪涌电压、雷击和静电放电的损坏。

* 通信设备: 保护通信设备免受电气噪声和雷击的损坏。

* 工业控制系统: 保护工业控制系统免受瞬态电压尖峰的影响。

* 汽车电子: 保护汽车电子设备免受电气噪声和雷击的损坏。

* 消费电子: 保护消费电子产品免受静电放电的损坏。

六、 使用注意事项

* 在使用 TVS 二极管时，需要确保其额定电压高于待保护电路的最大工作电压。

* TVS 二极管应安装在靠近待保护器件的位置，以最大程度地减少信号传输线上的电压降。

* TVS 二极管的功率容量必须满足实际应用中的电流和电压要求。

* 在实际应用中，应结合具体电路设计，选择合适的 TVS 二极管型号和参数。

七、 总结

SMBJ18A TVS 二极管是一款性能优异、应用广泛的低压 TVS 二极管，可以有效地保护敏感电子元件免受瞬态电压尖峰的损坏。该器件具有快速响应时间、低钳位电压、高脉冲电流容量、宽工作温度范围和小型封装等优点，使其成为各种应用中理想的选择。

八、 相关资料

* 辰达半导体 (MDD) 产品手册：mddsemi/

* SMBJ18A TVS 二极管数据手册：mddsemi/products/smbj18a

九、 关键词

* TVS 二极管

* 瞬态电压抑制

* SMBJ18A

* 辰达半导体

* DO-214AA

* 低压 TVS

* 电气噪声

* 静电放电

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* 响应时间

* 应用

* 使用注意事项