辰达半导体(MDD)TVS二极管 SMBJ36A 36V SMB(DO-214AA) 单向参数资料详解

一、概述

辰达半导体(MDD)SMBJ36A是一款36V单向TVS二极管，采用SMB封装(DO-214AA)。TVS二极管是一种电压敏感元件，其作用是保护敏感电子元件免受瞬态电压的破坏。SMBJ36A能够在电压超过其额定值时快速导通，将过电压能量吸收并引导至地，从而保护电路免受损坏。

二、参数特性

2.1 主要参数

| 参数 | 典型值 | 单位 |

|--------------|---------|-------|

| 反向击穿电压 | 36V | V |

| 峰值脉冲电流 | 12.5A | A |

| 钳位电压 | 40V | V |

| 漏电流 | 10uA | A |

| 工作温度 | -55℃ - 150℃ | ℃ |

2.2 参数解释

* 反向击穿电压 (VRWM)：当反向电压超过此值时，二极管开始导通。对于SMBJ36A，该值为36V。

* 峰值脉冲电流 (IPP)：二极管能够承受的峰值脉冲电流，代表着其对过电压的承受能力。SMBJ36A的峰值脉冲电流为12.5A。

* 钳位电压 (VC)：当二极管导通时，其两端的电压将限制在该值，为保护电路提供一个安全的电压上限。SMBJ36A的钳位电压为40V。

* 漏电流 (IR)：二极管在反向偏置状态下的漏电流，通常很小。SMBJ36A的漏电流为10uA。

* 工作温度 (TO)：二极管能够正常工作的温度范围。SMBJ36A的工作温度范围为-55℃ - 150℃，适应多种环境。

三、功能与应用

3.1 功能

SMBJ36A作为TVS二极管，其主要功能是：

* 瞬态电压抑制： 在电路受到瞬态电压冲击时，快速导通，将过电压能量吸收并引导至地，防止敏感电子元件损坏。

* 电压钳位： 当二极管导通时，其两端的电压被限制在安全范围内，避免过电压对电路造成破坏。

3.2 应用

SMBJ36A适用于各种电子设备中，例如：

* 电源电路： 抑制电源线路上的瞬态电压冲击，保护电源芯片和负载。

* 通信设备： 抑制信号线上的瞬态电压冲击，保护信号处理电路。

* 工业控制： 抑制控制系统中的瞬态电压冲击，保护控制芯片和执行机构。

* 汽车电子： 抑制车载电子系统中的瞬态电压冲击，保护敏感元件。

四、工作原理

SMBJ36A TVS二极管的工作原理基于PN结的雪崩效应。当反向电压超过其击穿电压时，PN结中的电场强度达到一定程度，导致自由电子获得足够能量，撞击价带电子，产生新的电子空穴对。这种现象被称为雪崩效应，会导致电流急剧增加，二极管进入导通状态。

五、优势与特点

5.1 优势

* 响应速度快： 能够在纳秒级时间内响应瞬态电压冲击，快速导通，有效保护电路。

* 钳位电压低： 钳位电压接近击穿电压，有效减少对电路的额外电压负担。

* 低漏电流： 漏电流很小，不会对电路造成额外的电流消耗。

* 工作温度范围广： 适应多种环境，满足不同的应用需求。

5.2 特点

* 单向保护： 仅对正极方向的电压提供保护，负极方向的电压不受影响。

* 封装紧凑： SMB封装，体积小巧，便于安装。

* 可靠性高： 通过严格的生产工艺和测试，确保产品质量稳定可靠。

六、注意事项

* 在选择TVS二极管时，要根据电路的额定电压和预期瞬态电压冲击幅度进行选择。

* TVS二极管的钳位电压要低于被保护电路的耐压值。

* TVS二极管的峰值脉冲电流要足够大，能够承受预期瞬态电压冲击的能量。

* 需要根据实际应用场景选择合适的封装形式。

* TVS二极管的安装位置需要远离热源和高场强区域。

七、总结

辰达半导体(MDD)SMBJ36A是一款36V单向TVS二极管，其快速响应、低钳位电压、低漏电流和工作温度范围广等优势，使其成为保护各种电子设备免受瞬态电压冲击的理想选择。在实际应用中，需要根据具体的电路情况选择合适的型号和安装方式，以确保其安全可靠地工作。

八、参考资料

* 辰达半导体(MDD)官方网站

* TVS二极管技术资料

* 电子元件应用手册

九、关键词

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