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BSS84 MOS管参数

 

2024-11-11 09:49:17

晨欣小编

厂商名称: ON安森美 (ON Semiconductor)
元件分类: MOS管 (MOSFET)
中文描述: 功率场效应晶体管,P沟道MOSFET,50V,130mA,1.2欧姆,SOT-23封装,表面安装
英文描述: P-Channel MOSFET, 50V, 0.13A, 3-Pin SOT-23, Tape & Reel

BSS84 概述

ON安森美的 BSS84 是一款 P沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用SOT-23封装,设计上特别注重低导通电阻,并具备高耐用性、高可靠性和快速开关特性。这些特性使得 BSS84 特别适合低电压和低电流的开关应用需求,如电源管理、便携式设备和消费电子产品。

该晶体管通过电压控制的小信号 P通道开关运行,非常适用于要求低RDS(on)的应用。同时,它具有高饱和电流特性,能够在较小的封装中实现良好的电流控制。

主要特性包括:

  • 漏极-源极电压 (Vds): -50V

  • 栅极-源极电压 (Vgs): ±20V

  • 在 Vgs 为 10V 时,低通导电阻 (RDS(on)) 仅为 3.5欧姆

  • 最大持续漏电流: -130mA

  • 最大功耗: 360mW

  • 工作结温范围: -55°C 到 +150°C

应用场景

  • 电源管理

  • 工业控制

  • 便携式设备

  • 消费电子产品

BSS84 中文参数表

参数

说明



通道类型

P沟道

最大功率耗散

250 mW

最大连续漏极电流

130 mA

晶体管配置

单路

最大漏源电压

50 V

最大栅源电压

±20 V

封装类型

SOT-23 (TO-236AB)

每片芯片元件数

1

安装类型

表面贴装

最低工作温度

-65 °C

引脚数

3

宽度

1.4mm

最大漏源电阻值

10 Ω

高度

1mm

通道模式

增强型

晶体管材料

硅 (Si)

最大栅阈值电压

2V

最高工作温度

+150 °C

最小栅阈值电压

0.8V

长度

3mm

BSS84是一款适合电源管理和开关应用的P沟道MOSFET,以其低导通电阻和稳定的高温性能成为便携式电子和工业设备的理想选择。


 

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