BTRAN 双向双极结晶体管介绍
2025-01-08 15:09:31
晨欣小编
双向双极结型晶体管(B-TRAN)是一种新型的功率半导体器件,具有独特的结构和操作方式,使其在高效能、低损耗的电力转换中表现出色。B-TRAN 采用了垂直对称、三层、四端子的结构,这使得它能够在任一方向上提供极低的导通电阻,从而在高电流密度下实现低电压降。这种创新的结构为 B-TRAN 提供了非常高的效率,并在与传统功率半导体器件(如 IGFET、MOSFET 和 IGBT)比较时,展现出更低的关断损耗和更高的电流密度。
B-TRAN 的工作原理
B-TRAN 的工作原理和传统的双极晶体管有所不同。它使用一个基于发射极、集电极和基极三者之间电流和电压控制的配置来实现多种操作模式。这些模式使得 B-TRAN 在不同工作条件下有着不同的功能,如二极管、晶体管以及类似 IGBT 的模式。每一侧都有与基极区域的外部接触,允许通过控制基极电流或电压来实现器件的不同操作模式。B-TRAN 的独特之处在于,它能够像二极管一样导通,也能像晶体管那样以更高的效率运行。
模式
离开模式: 在这种模式下,B-TRAN 被用作一个反向偏置二极管。此时,c 基极被开路,e 基极和发射极被短路。在 B-TRAN 的当前设计中,当设备击穿时,c 基极电压比集电极电压低约 40 V,因此,通过外部 MOSFET 控制基极连接的电压为 40 V,可以有效降低 MOSFET 的尺寸和成本。
二极管导通模式: 当 c 基极与集电极短路,e 基极开路时,B-TRAN 将作为二极管或等效的 IGBT 运行。在该模式下,大部分电流流过集电极而非 c 基极,Vce 的典型值为 0.9 V,即使在高电流密度下,B-TRAN 的效率仍然较高。
晶体管导通模式: 这种模式通过断开 c 基极与集电极的连接,并将其连接到低功率电压源来进入。此时,Vce 会迅速降低至 0.2 V(标称值为 0.15 V)。这个过程能够实现极低的导通电压,并且具有非常低的导通损耗。
预关闭模式: 该模式通过降低电荷载流子密度为器件的完全关断做准备。这个过程非常快速,通常在 0.5 微秒内完成。预关闭模式主要通过短路 e 基极与发射极并施加适当的电压,迅速降低器件内部的载流子密度,准备进行完整的关断。
B-TRAN 的性能
通过对 B-TRAN 进行仿真分析,数据显示该器件在 650 V、200 A/cm² 和 25 °C 的条件下,Vce 可维持在 0.2 V,而电流增益为 15。B-TRAN 的导通电阻仅为 1 mΩ·cm²,且其关断损耗仅为 IGBT 的 1/10。这使得 B-TRAN 成为高效能电力转换的理想选择,尤其适用于要求低导通损耗和快速关断的应用场景。
在仿真中,B-TRAN 在预关断 0.6 微秒后,能够实现高效的关断,反向恢复损耗显著低于 IGBT。这些特性使得 B-TRAN 特别适合用于需要高频开关和低损耗的场合。
基于 B-TRAN 的电动汽车 (EV) 驱动应用
B-TRAN 在电动汽车(EV)驱动中的应用,特别是基于 B-TRAN 的直流至三相双向转换器,展示了其在高效能电力转换中的巨大潜力。与传统的 IGBT/二极管模块相比,基于 B-TRAN 的模块能够在较小的芯片面积上实现更低的导通损耗和更高的转换效率。
通过仿真分析,B-TRAN 的工作效率明显优于传统模块。根据封装尺寸,传统 IGBT 模块的芯片面积为 12 cm²,而 B-TRAN 在相同的电流密度下仅需要 1/4 的芯片面积。B-TRAN 模块的传导损耗仅为传统模块的 1/5,表现出更高的能效和更低的运行成本。
B-TRAN 在可再生能源应用中的优势
B-TRAN 还适用于与可再生能源相关的应用,如风力涡轮机和太阳能光伏发电。B-TRAN 的高效转换特性使其成为理想的电源管理解决方案,尤其是在需要紧凑、风冷、低成本的转换器时。其全功率转换效率预计可达到 99.4%,大大提高了可再生能源发电系统的总体效率。
B-TRAN 的低损耗和高频开关能力使得它在与电池存储结合的可再生能源发电系统中表现出色,能够显著提升系统的整体性能,并降低设备的成本。
总结
双向双极结型晶体管(B-TRAN)是一种具有极大潜力的新型功率半导体器件。其低导通损耗、快速关断特性和高电流密度能力使其在高效能电力转换中具有显著优势。B-TRAN 在电动汽车驱动、电力电子设备以及可再生能源系统中都展现了卓越的性能,预计将为未来的电力转换技术带来革命性的变化。