近年来，新能源汽车（EV, Electric Vehicle）市场呈现爆发式增长，各国政府相继推出碳中和、碳达峰目标，推动新能源车取代传统燃油车。全球汽车电动化趋势下，新能源汽车核心动力系统的高效转换、能耗优化成为行业竞争的关键，而功率半导体——特别是IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、SiC（碳化硅）器件，则是新能源汽车动力电子系统的核心器件。

在这一背景下，辰达半导体（MDD）作为国内领先的功率半导体企业，正加速布局新能源汽车产业链，推动国产IGBT、MOSFET、SiC功率器件的自主化与创新发展，助力新能源汽车提升续航能力、降低能耗、提升充电效率，推动中国新能源汽车产业走向全球竞争前沿。

二、新能源汽车对功率半导体的需求分析

新能源汽车的动力系统主要依赖于电机驱动系统、OBC（车载充电器）、BMS（电池管理系统）、DC-DC转换器，其中功率半导体的作用至关重要。

• 电机驱动系统（逆变器）——IGBT、SiC MOSFET

• 核心作用：逆变器将高压电池的直流电转换为交流电，驱动电动机运转。

• 关键需求：高耐压、高开关速度、低损耗、高功率密度。

• OBC（车载充电器）——SiC MOSFET、GaN FET

• 核心作用：将交流电转换为直流电，为动力电池充电。

• 关键需求：高频、高效率、小型化、轻量化。

• BMS（电池管理系统）——MOSFET、IGBT

• 核心作用：控制电池充放电，优化电池性能，防止过充、过放。

• 关键需求：低导通电阻（Rds(on)）、高耐压、长寿命。

• DC-DC转换器——SiC MOSFET、IGBT

• 核心作用：为不同电压等级的电子系统提供稳定电源。

• 关键需求：高转换效率、低发热、体积小。

随着新能源汽车迈向高压快充（800V+）、智能电网互动、无线充电等新技术方向，对功率半导体的性能要求不断提高，辰达半导体正积极突破核心技术，推动产业链自主可控。

三、辰达半导体（MDD）在新能源汽车功率器件领域的技术突破

1. IGBT技术创新：高效能、低损耗、长寿命

IGBT是新能源汽车电机驱动逆变器的核心功率器件，其性能直接决定电动车的能耗和续航能力。辰达半导体在IGBT技术领域取得了以下突破：

• Trench FS-IGBT（场截止型沟槽IGBT）

• 采用沟槽栅结构，降低导通电阻（Rds(on)），提升电流密度。

• 提高耐压性能和短路耐受能力，增强器件可靠性。

• 1200V高压IGBT模块

• 适用于新能源汽车800V高压快充架构，提高能量转换效率，降低充电时间。

• 采用铜键合（Cu Bonding）+ 陶瓷基板封装，优化散热，提升可靠性。

• 车规级IGBT

• 通过AEC-Q101认证，适用于电机控制和DC-DC转换系统。

• 提供650V、900V、1200V耐压等级，满足不同电压平台需求。

2. SiC（碳化硅）技术突破：推动800V高压快充

碳化硅（SiC）功率器件因其高耐压、高开关频率、低损耗等优点，在新能源汽车800V快充系统中应用广泛。辰达半导体的SiC技术布局包括：

• 1200V SiC MOSFET

• 低导通损耗，提高逆变器能效，提升电动车续航能力。

• 高速开关特性，提高充电效率，缩短充电时间。

• SiC功率模块（SiC MOSFET + SiC SBD）

• 适用于OBC（车载充电器）、DC-DC转换器，提高电能转换效率。

• 采用碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），减少功率损耗，提升系统功率密度。

3. MOSFET技术突破：优化电池管理系统（BMS）

辰达半导体的MOSFET产品适用于BMS、DC-DC转换等低压功率管理领域，具备超低导通电阻（Rds(on)）、高可靠性、长寿命等特点。

• 超结MOSFET（Super-Junction MOSFET）

• 采用深沟槽（Deep Trench）技术，提高耐压能力，降低能耗。

• 应用于OBC、BMS，提高充放电效率，优化电池管理。

• GaN（氮化镓）MOSFET布局

• 高开关频率，适用于高效快充设备，提高充电功率密度。

四、辰达半导体（MDD）新能源汽车产业链生态布局

为了加速国产化进程，辰达半导体积极构建完整的新能源汽车功率半导体供应链，与国内外产业链伙伴建立紧密合作。

1. 供应链整合：提升国产功率半导体自主可控能力

• 与国内晶圆制造厂合作，优化SiC/IGBT/MOSFET工艺，降低制造成本。

• 与新能源汽车厂商深度合作，提供定制化功率器件，优化电驱动方案。

• 布局封装测试能力，开发高功率模块化封装技术，提升产品可靠性。

2. 智能制造升级：扩展产能，提升效率

• 建立SiC/IGBT智能制造产线，提高良率，降低成本。

• 引入AI+大数据优化工艺参数，提高功率器件一致性。

五、结语：辰达半导体引领新能源汽车功率半导体国产化

随着新能源汽车市场的快速增长，功率半导体的需求持续扩大，辰达半导体（MDD）凭借领先的IGBT、MOSFET、SiC技术，正成为新能源汽车产业链国产化的重要推动力量。

未来，辰达半导体将继续加大研发投入，优化制造工艺，深化产业链合作，助力中国新能源汽车产业迈向全球高端市场，引领新能源科技创新的新时代！