rs1m贴片二极管的参数信息

 

2025-03-14 14:15:46

晨欣小编

RS1M 是一种超快速恢复整流二极管(Fast Recovery Rectifier Diode),广泛应用于 开关电源、电机驱动、电池充电器、逆变器和高频整流电路。RS1M 具有高反向耐压(1000V)、低正向压降(1.3V @ 1A)和超快的反向恢复时间(小于500ns),是许多高效能电子电路中的关键元件。

RS1M 既有传统的 轴向引线(DO-41)封装,也有适用于 表面贴装技术(SMT)的 SOD-123FL 和 SMA、SMB 封装,这使其适用于现代电子制造的自动化生产。


2. RS1M 贴片二极管的详细参数

2.1 主要电气参数

参数单位备注
最大反向耐压(VRRM)1000V最大反向工作电压
平均整流电流(IF(AV))1.0A连续工作电流
最大瞬时正向电流(IFSM)30A8.3ms 单半正弦波
正向压降(VF)1.3V@ 1A
反向恢复时间(trr)≤ 500ns超快恢复时间
最大反向漏电流(IR)5μA@ 1000V
工作温度范围(Tj)-55 ~ 150适用于严苛环境

2.2 典型封装类型

RS1M 常见的 SMD(贴片)封装 形式包括:

封装类型尺寸(长 × 宽 × 高)特点
SMA(DO-214AC)4.3 × 2.5 × 2.0 mm体积适中,适用于中等功率应用
SMB(DO-214AA)4.6 × 3.7 × 2.2 mm更高功率处理能力
SOD-123FL3.5 × 1.8 × 1.0 mm超薄封装,适用于高密度电路板

SMD 封装适用于 自动化 SMT 生产工艺,提升生产效率和可靠性。


3. RS1M 贴片二极管的特点

RS1M 具有以下优点,使其成为高频整流、续流和浪涌保护电路中的理想选择:

3.1 超快恢复时间

相比普通整流二极管(如 1N4007),RS1M 的反向恢复时间(trr)远小于 500ns,这意味着它可以在高频开关电路中快速切换,减少开关损耗,提高能效。

3.2 高反向耐压

RS1M 的最大耐压为 1000V,可用于 AC-DC 整流、DC-DC 转换,在高压环境下仍能稳定运行。

3.3 低正向压降(VF)

VF 约 1.3V @ 1A,相比普通二极管(如 1N4007)的 1.1V 略高,但由于 RS1M 采用 超快恢复技术,综合效率更高,适用于需要高效整流的应用。

3.4 适应极端环境

  • 宽温度范围(-55°C ~ 150°C),可在恶劣工业环境和车载电子设备中使用。

  • 高浪涌耐受能力(30A @ 8.3ms),可承受短时大电流冲击,适用于电源启动和突发负载应用。


4. RS1M 贴片二极管的应用领域

4.1 开关电源(SMPS)

RS1M 可用于 功率整流、续流二极管,提高开关电源的转换效率,降低功耗,常见于:

  • 服务器电源

  • LED 驱动电源

  • 适配器和充电器

4.2 高频 DC-DC 转换

在高频降压(Buck)、升压(Boost)和反激(Flyback)转换电路中,RS1M 作为整流或续流二极管,能提高能量转换效率,减少热损耗。

4.3 太阳能逆变器

太阳能电池板的整流电路需要高耐压、低漏电的二极管,RS1M 可用于 MPPT 控制器、逆变器和储能系统

4.4 车载电子

RS1M 适用于 新能源汽车(EV)、车载充电器、DC-DC 变换器,在恶劣环境下仍能保持稳定的工作性能。

4.5 其他应用

  • 浪涌保护(Surge Protection)

  • 工业自动化设备

  • UPS(不间断电源)


5. RS1M 贴片二极管的替代型号

如果 RS1M 供应短缺或需要更优性能,可以考虑以下替代型号:

型号耐压(V)正向电流(A)反向恢复时间(ns)封装
RS1M1000V1A≤500SMA/SMB/SOD-123FL
UF40071000V1A≤75DO-41/SMA
MURS1M1000V1A≤50SMA
ES1J600V1A≤35SMA

MURS1M 具有更快的恢复时间(50ns),适用于 高频电源,但价格相对更高。


6. RS1M 贴片二极管的采购建议

6.1 选购建议

  • 确认 封装类型(SMA、SMB、SOD-123FL)是否符合 PCB 设计要求。

  • 检查 耐压(1000V)和反向漏电流(≤5μA) 是否满足电路需求。

  • 确保从 正规渠道采购,避免买到假冒伪劣产品。

6.2 可靠的供应商

推荐通过以下正规渠道购买 RS1M 贴片二极管:


7. 结论

RS1M 贴片二极管是一款高耐压、低损耗、超快恢复的整流二极管,适用于 开关电源、DC-DC 转换、太阳能逆变器、车载电子 等高效能应用。其 1000V 高耐压和 ≤500ns 的反向恢复时间,使其在高频整流电路中表现优异。


 

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