A1P50S65M2 技术参数详情
更新时间：2026-02-25 11:06:08
晨欣小编
- 制造商产品型号：A1P50S65M2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 配置：三相反相器
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：50A
- 功率-最大值：208W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，50A
- 电流-集电极截止（最大值）：100μA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：4150pF @ 25V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：是
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：模块
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