送货至:

 

 

2N7227 技术参数详情

 

更新时间:2026-02-25 11:06:08

晨欣小编

  • 制造商产品型号:2N7227
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):400V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):14A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):315 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):110nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):4W(Ta),150W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-254AA

 

上一篇: 691317710004 技术参数详情
下一篇: A3PN060-Z2VQG100 技术参数详情

热点资讯 - IC芯片

 

RTL8211F-CG手册
RTL8211F-CG手册
2026-02-28 | 1167 阅读
ICL7660AIBAZA-T 电源芯片
ICL7660AIBAZA-T 电源芯片
2026-02-27 | 1135 阅读
ISO1050DUBR物料参数
ISO1050DUBR物料参数
2026-02-27 | 1286 阅读
AT89C51ED2-RLTUM参数信息
AT89C51ED2-RLTUM参数信息
2026-02-26 | 1242 阅读
CDRH125-100MC参数信息
CDRH125-100MC参数信息
2026-02-25 | 1266 阅读
stm32f103c8t6数据手册及性能
stm32f103c8t6数据手册及性能
2026-02-25 | 1282 阅读
工业电力电子:IGBT 模块的选型与驱动电路抗干扰设计
骁龙665|SM6125芯片性能参数介绍
骁龙665|SM6125芯片性能参数介绍
2026-02-25 | 1051 阅读
收起 展开
QQ客服
我的专属客服
工作时间

周一至周六:09:00-12:00

13:30-18:30

投诉电话:0755-82566015

微信客服

扫一扫,加我微信

0 优惠券 0 购物车 BOM配单 我的询价 TOP