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TI 电源设计:DCM 反激式转换器设计全攻略

 

更新时间:2026-02-06 08:46:46

晨欣小编

一、引言

在现代电源管理系统中,反激式转换器(Flyback Converter)因其结构简单、隔离特性好而被广泛应用于小功率AC/DC和DC/DC转换场景中。而在轻负载或低功率输出场景中,**不连续导通模式(DCM)**的反激式拓扑更是表现出优异的控制精度和高效率。德州仪器(Texas Instruments, TI)作为全球领先的模拟和嵌入式芯片供应商,为DCM反激式设计提供了全面的解决方案和丰富的器件支持。

本文将从原理分析、核心器件选型、关键参数设计、TI推荐方案等方面,全方位解析DCM反激式转换器的设计思路。


二、什么是DCM反激式转换器?

2.1 反激式拓扑简介

反激式拓扑是一种基于变压器储能的隔离型电源结构,其基本构成包括:主开关MOSFET、变压器、整流与滤波电路。其主要优势包括:

  • 输入输出隔离

  • 简化控制方式

  • 支持宽输入电压范围

2.2 DCM 工作原理

DCM(Discontinuous Conduction Mode)指的是每个开关周期内,变压器副边电流完全降为零后才开启下一周期。与之相对的是CCM(Continuous Conduction Mode,连续导通模式)。

DCM具有以下特点:

  • 次级整流器处于零电流关断,开关损耗小

  • 无需电流连续性控制,适合电压模式控制

  • 电感/变压器设计更小型化

  • 抗环路震荡性强,控制环路稳定

适合低功率、高精度电源需求,如LED驱动器、待机电源、USB适配器等。


三、DCM反激式转换器的关键设计参数

3.1 设计输入参数

  1. 输入电压范围(Vin_min, Vin_max)

  2. 输出电压与电流(Vout, Iout)

  3. 工作频率(fsw)

  4. 效率要求(η)

  5. 输出纹波要求

3.2 变压器设计要点

变压器是反激式设计的核心,DCM模式下:

  • 峰值电流更大,因此要关注磁饱和问题

  • 空载与轻载下,磁通复位完全

  • 初级/次级绕组比(Nps)需根据电压与负载动态范围优化

变压器设计需遵循以下步骤:

  • 选择磁芯(EE13、EE16等,视功率而定)

  • 计算最大峰值电流Ip(peak)I_{p(peak)}Ip(peak)

  • 计算储能E=12LpIp(peak)2E = \frac{1}{2} L_p I_{p(peak)}^2E=21LpIp(peak)2

  • 确保在每周期内能完成磁通复位

3.3 主开关MOSFET选型

MOSFET需具备:

  • 足够的耐压裕量(Vds ≥ Vin_max + Vspike)

  • 足够的Idsat和低Rds(on)降低导通损耗

  • 快速开关特性

TI 推荐使用 NexFET™ 系列,例如 CSD19536KTT 等高效MOSFET。

3.4 整流器选型

DCM 下整流器导通时间短,但峰值电流大,因此需使用:

  • 快速恢复二极管(如 UF4007)

  • 或肖特基二极管(效率更高但耐压低)


四、TI推荐的DCM反激式控制器

TI 提供丰富的反激控制器和集成电源芯片,适用于DCM设计。主要包括:

4.1 UCC28704/UCC28740

  • 专为DCM优化,支持峰值电流模式控制

  • 集成 HV 启动电路

  • 自适应开关频率,有效控制输出电压和功率

4.2 UCC28910

  • 高度集成的 AC-DC 控制器

  • 集成了MOSFET、HV启动和保护电路

  • 适用于5W~10W 低功率隔离电源

4.3 PMP 和 WEBENCH 设计工具

TI 提供基于其控制器的完整参考设计:


五、DCM反激式设计中的EMI与保护设计

5.1 EMI设计建议

DCM 模式开关电流突变较大,需注意 EMI 抑制:

  • 输入端加π型滤波器

  • 使用贴片磁珠和Y电容进行共模干扰控制

  • 合理布局回流路径,降低di/dt区域电感耦合

5.2 常见保护机制

TI 控制器通常内建以下保护机制:

  • 过压保护(OVP)

  • 欠压锁定(UVLO)

  • 过流保护(OCP)

  • 过温关断(OTP)

推荐在硬件电路中进一步增加 TVS、保险丝、热敏电阻等保护措施,提升整机可靠性。


六、实用设计案例分析

案例:使用 UCC28704 设计 12V/1.5A DC电源

参数



输入电压

85~265VAC

输出电压

12V

输出电流

1.5A

功率

18W

工作模式

DCM

关键步骤:

  1. 利用TI WEBENCH生成初步设计

  2. 使用EE16磁芯设计变压器,匝比约为4:1

  3. 选择600V耐压MOSFET和30V/3A肖特基整流器

  4. PCB注意初次级间的隔离槽与走线宽度

该设计适用于家用网关、路由器、LED灯具电源等场景。


七、结语:DCM反激式设计的优势与发展趋势

DCM反激式转换器因其控制简单、效率高、动态响应好而在小功率隔离电源中占据重要地位。TI在该领域提供了完善的控制芯片、参考设计和开发工具,助力工程师快速实现高可靠性的设计。

随着数字电源控制和高频GaN器件的发展,未来DCM反激式拓扑将更加智能化、高效化,持续服务于IoT、家电、工业控制等广泛领域。


 

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