UVR1A101MDD 时间：:28 阅读：23

UVR1A101MDD是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、高密度电源管理应用而设计，具有低导通电阻和优化的栅极电荷特性，能够在高频率开关条件下实现优异的性能表现。UVR1A101MDD封装在PowerPAK SO-8L双通道封装中，有助于提高功率密度并减少PCB占用空间，适用于笔记本电脑、服务器、DC-DC转换器以及同步整流等应用场景。其封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
　　该MOSFET的额定电压为30V，连续漏极电流可达24A，适用于中等电压、大电流的开关应用。器件具备良好的热性能，能够有效传导热量，提升系统可靠性。此外，UVR1A101MDD符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。Vishay作为全球领先的半导体制造商，确保了该器件在质量和长期供货方面的稳定性。 参数

型号：UVR1A101MDD
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8L
　　通道数：2（双N沟道）
　　漏源电压(Vdss)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：24A @ 10V Vgs
　　脉冲漏极电流(Id@pulsed)：96A
　　导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ @ 10V Vgs
　　导通电阻(Rds(on))：9.5mΩ @ 4.5V Vgs
　　栅极电荷(Qg)：14nC @ 10V Vgs
　　输入电容(Ciss)：730pF @ 15V Vds
　　开启延迟时间(Td(on))：7ns
　　关断延迟时间(Td(off))：27ns
　　反向恢复时间(Trr)：24ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　安装方式：表面贴装
　　峰值回流温度（焊接，最大值）：260℃ 特性

UVR1A101MDD采用Vishay成熟的TrenchFET技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通损耗，提升了整体能效。在10V驱动电压下，其典型Rds(on)仅为7.5mΩ，而在4.5V逻辑电平驱动下也能保持9.5mΩ的低阻值，使其适用于多种栅极驱动条件下的高效开关操作。这种低Rds(on)特性对于电池供电设备尤其重要，有助于延长续航时间并减少发热。
　　该器件的栅极电荷Qg仅为14nC，在高频开关应用中表现出色，可有效降低驱动损耗并简化驱动电路设计。低Qg结合低输出电容Coss和输入电容Ciss，使得器件在硬开关和软开关拓扑中均能实现快速响应和高转换效率。此外，其短小的开启和关断延迟时间（分别为7ns和27ns）进一步增强了动态响应能力，适合用于高频率DC-DC变换器和同步整流电路。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅提供了优良的散热性能，还具备与标准SO-8兼容的引脚布局，但去除了传统封装中的裸焊盘下方电气连接问题，提升了可靠性和良率。双通道结构允许用户在一个封装内集成两个独立的MOSFET，节省PCB面积并简化布局布线。该封装还具备较高的机械强度和抗热循环能力，适用于严苛的工作环境。
　　UVR1A101MDD具有出色的雪崩能量耐受能力和坚固的栅氧化层设计，提高了器件在瞬态过压或负载突变情况下的鲁棒性。其-55℃至+150℃的宽工作结温范围使其可在极端温度环境下稳定运行，广泛适用于工业控制、通信电源和便携式电子设备等领域。 应用

UVR1A101MDD广泛应用于需要高效率和紧凑设计的电源系统中。常见用途包括同步降压转换器中的上下管配置，特别是在多相VRM（电压调节模块）中用于CPU或GPU供电，其低导通电阻和快速开关特性有助于实现高电流输出下的低损耗。此外，它也适用于笔记本电脑主板、平板电脑和其他移动设备的DC-DC电源管理电路。
　　在服务器和电信设备中，UVR1A101MDD可用于中间总线转换器（IBC）和负载点（POL）转换器，提供高效的电压转换解决方案。其双通道结构特别适合半桥或全桥拓扑中的集成化设计，减少元件数量并提升系统可靠性。该器件还可用于电机驱动、热插拔控制器以及LED驱动电源等场景。
　　由于其符合RoHS和无卤素要求，UVR1A101MDD适用于对环保有严格要求的消费类电子产品和绿色能源项目。同时，其表面贴装封装支持自动化组装流程，适合大规模量产应用。 替代型号

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　　 "SI7356DP",
　　 "IRF7831PBF",
　　 "AOZ5235EQI-02",
　　 "FDMS7680",
　　 "FDMC8878"
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