UPS2A100MED 时间：:56 阅读：27

UPS2A100MED是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高频率开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，优化了导通电阻和栅极电荷之间的平衡，使其在电源转换系统中表现出色。其主要面向消费类电子产品、工业电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该MOSFET封装形式为SOP-8（表面贴装），具备良好的散热性能与紧凑的占板面积，适用于空间受限但要求高性能的现代电子设备。
　　该器件的最大漏源电压（Vds）为100V，连续漏极电流（Id）可达9.4A，能够承受较高的功率负载。同时，其低导通电阻特性有助于降低传导损耗，提升整体系统能效。此外，UPS2A100MED内置了快速恢复体二极管，增强了其在感性负载切换过程中的可靠性，减少了反向恢复时间带来的能量损耗和电压尖峰问题。得益于ROHM在功率器件领域的长期技术积累，这款产品在热稳定性、抗雪崩能力和长期可靠性方面均有出色表现，适合在严苛工作环境下稳定运行。 参数

型号：UPS2A100MED
　　制造商：ROHM
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：9.4 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：37.6 A
　　导通电阻Rds(on) @Vgs=10V：约8.5 mΩ
　　导通电阻Rds(on) @Vgs=4.5V：约12.5 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：约17 nC
　　输入电容（Ciss）：约1070 pF
　　输出电容（Coss）：约160 pF
　　反向恢复时间（trr）：约22 ns
　　二极管正向电压（Vf）：约1.2 V
　　最大功耗（Pd）：2.5 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 °C
　　封装类型：SOP-8 特性

UPS2A100MED具备优异的电气性能与热管理能力，其核心优势在于低导通电阻与低栅极电荷的完美结合。在Vgs=10V条件下，Rds(on)典型值仅为8.5mΩ，显著降低了大电流下的导通损耗，这对于提高DC-DC变换器或同步整流电路的效率至关重要。同时，在Vgs=4.5V时仍能保持12.5mΩ的低阻状态，表明其在低电压驱动条件下依然具备良好性能，适用于由控制器直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换或驱动电路。
　　该器件的栅极电荷Qg约为17nC，较低的Qg意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而减小了驱动损耗并提高了系统的开关速度。这对于高频PWM控制的电源系统尤为重要，有助于实现更高的功率密度和更快的动态响应。此外，其输入电容Ciss为1070pF，输出电容Coss为160pF，这些参数保证了器件在高频工作下的稳定性，并减少了寄生振荡的风险。
　　体二极管方面，反向恢复时间trr约为22ns，属于较快水平，有效抑制了反向恢复过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统在感性负载切换时的安全性和可靠性。该特性尤其适用于H桥电机驱动或LLC谐振转换器等对二极管性能敏感的应用。
　　热性能方面，尽管采用SOP-8封装，但通过优化芯片布局与封装材料，实现了良好的热传导路径，最大功耗可达2.5W，结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在高温环境下的长期可靠运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。 应用

UPS2A100MED广泛应用于多种中等功率级别的电源管理系统中。首先，在DC-DC降压（Buck）转换器中，常作为同步整流开关使用，利用其低Rds(on)特性大幅降低导通损耗，提高转换效率，特别适用于笔记本电脑、机顶盒、路由器等便携式或嵌入式设备的供电模块。
　　其次，在电机驱动电路中，尤其是在H桥或半桥拓扑结构中，该MOSFET可作为主开关元件，用于控制直流电机或步进电机的正反转与调速。其快速开关能力与较短的反向恢复时间有效防止了上下桥臂直通和电压冲击，提升了驱动系统的响应速度与安全性。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电源、电池充电管理电路、逆变器以及小型UPS不间断电源系统中，作为主开关或保护开关使用。在这些应用中，其高耐压（100V）能力能够兼容12V、24V乃至48V系统，适应性强。
　　工业自动化设备中的传感器电源、PLC模块、继电器驱动电路同样可以采用UPS2A100MED，以实现高效、紧凑的电源设计。由于其表面贴装封装形式，便于自动化生产，适合大规模SMT贴片工艺，有助于降低制造成本并提升产品一致性。 替代型号

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　　 "SUD100N10-30L",
　　 "IPD90N10S3L-03",
　　 "FDS6680A",
　　 "SISS90DN",
　　 "AOZ5232AI"
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