UVZ2V2R2MPD 时间：:21 阅读：31

UVZ2V2R2MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的齐纳二极管，专为电压调节和电压检测等应用设计。该器件采用SOD-123FL小型表面贴装封装，具有紧凑的尺寸和良好的热稳定性，适合在空间受限的高密度印刷电路板（PCB）上使用。UVZ2V2R2MPD的标称齐纳电压为2.2V，在规定的测试电流下能够提供稳定的参考电压，适用于低电压系统的保护与稳压。该器件的主要优势在于其低动态阻抗、快速响应时间和较高的可靠性，能够在瞬态电压波动中保持输出电压的稳定。此外，UVZ2V2R2MPD具备优良的温度稳定性，确保在不同工作环境下性能的一致性。由于其低功耗特性和高效的热耗散能力，该齐纳二极管广泛应用于便携式电子设备、电源管理单元、信号调理电路以及嵌入式系统中的过压保护电路。ROHM作为知名的半导体制造商，确保了该产品的高质量制造工艺和长期供货能力，使其成为工业、消费类及通信设备中常用的电压参考元件之一。 参数

产品类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　齐纳电压（Vz）：2.2V @ 5mA
　　容差：±2%
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　反向漏电流（IR）：≤ 1μA @ VR = 1V
　　动态阻抗（Zzt）：≤ 20Ω @ IZ = 5mA
　　温度系数：+5 mV/°C（典型值）
　　引脚数：2 特性

UVZ2V2R2MPD齐纳二极管的核心特性之一是其出色的电压稳定性和低动态阻抗。该器件在额定电流条件下能够维持非常精确的2.2V齐纳电压输出，且电压波动极小，这对于需要高精度电压参考的应用至关重要。其动态阻抗低于20Ω，意味着在负载变化或输入电压波动时，输出电压的变化幅度被有效抑制，从而提升了系统的稳定性。该器件采用先进的硅半导体工艺制造，确保了齐纳击穿过程的可重复性和长期可靠性。在温度特性方面，UVZ2V2R2MPD表现出较低的温度系数，典型值为+5mV/°C，这表明其电压随温度的变化较为平缓，适合在宽温环境中使用。此外，该器件的±2%电压容差进一步增强了其在精密电路中的适用性，减少了外围校准电路的需求。SOD-123FL封装不仅体积小巧（约2.0mm × 1.25mm × 1.0mm），还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内有效传导热量，防止因局部过热导致的性能下降或器件损坏。该封装符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子制造的要求。UVZ2V2R2MPD还具有极低的反向漏电流，在未达到击穿电压前几乎不导通，有效防止了待机状态下的能量损耗，特别适合电池供电设备。其快速响应能力使得该器件能在瞬态过压事件中迅速导通，将多余能量泄放到地，保护后续敏感电路。综合这些特性，UVZ2V2R2MPD在噪声抑制、电压箝位和基准源构建中表现出色，是现代电子设计中值得信赖的被动元件之一。
　　 应用

UVZ2V2R2MPD广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要稳定低电压参考或过压保护的场合。常见应用包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源轨监控电路，用于防止锂电池供电系统因电压异常而损坏内部IC。在电源管理单元（PMU）中，该齐纳二极管可作为反馈回路的电压基准，帮助实现精确的DC-DC转换器输出调节。此外，它也常用于传感器接口电路中，为模拟前端提供稳定的偏置电压，提升测量精度。在通信模块中，UVZ2V2R2MPD可用于ESD保护和信号电平箝位，防止高频信号线上的电压尖峰干扰正常通信。工业控制设备中的微控制器复位电路也常采用此类低电压齐纳二极管，以确保系统在上电或掉电过程中可靠复位。在汽车电子领域，尽管该器件非AEC-Q101认证，但仍可用于部分车载信息娱乐系统的辅助电源监测功能。此外，该器件适用于各种嵌入式系统中的电压检测电路，例如通过分压网络连接至MCU的ADC引脚，实现电池电量指示功能。由于其小型化封装，特别适合高密度PCB布局，如TWS耳机、智能手表和物联网节点设备。在测试与测量仪器中，UVZ2V2R2MPD可用于构建精密参考源或作为保护元件防止探头误接导致的过压损伤。总之，凭借其稳定性、小型化和可靠性，该器件已成为众多低电压电子设计中的关键组件。
　　 替代型号

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　　 "MMSZ2V2T1G",
　　 "BZT52C2V2",
　　 "SZBZT52C2V2-7",
　　 "MMBZ2V2ALT1G",
　　 "UDZV2V2B"
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