LGN2V681MELB50 时间：:34 阅读：20

LGN2V681MELB50是一款由松下（Panasonic）公司生产的表面贴装型铝电解电容器，属于其高耐久性、低漏电流的导电性高分子固态电解电容器产品线。该型号专为满足现代电子设备对高可靠性、长寿命和小体积的需求而设计，广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器、主板去耦电路以及便携式电子产品中。LGN2V681MELB50采用先进的导电聚合物电解质技术，相较于传统液态铝电解电容，具有更低的等效串联电阻（ESR）、更高的纹波电流承受能力以及更优异的温度稳定性。该器件具备极低的漏电流特性，有助于提升系统能效并减少发热，特别适用于对功耗敏感的应用场景。其额定电容值为680μF（标称值681表示68×101 = 680μF），额定电压为2.5V DC，适用于低压大容量滤波场合。外壳尺寸符合标准SMD封装规范，便于自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。此外，该电容器符合RoHS环保要求，并具备无铅焊接兼容性，支持回流焊工艺，在消费类电子、通信设备及工业控制领域有广泛应用前景。 参数

电容值：680μF
　　额定电压：2.5V DC
　　容差：±20%
　　ESR（等效串联电阻）：≤30mΩ
　　纹波电流（100kHz）：1700mA RMS
　　工作温度范围：-55℃ ~ +105℃
　　寿命：105℃下10000小时
　　封装类型：SMD
　　尺寸（直径×高度）：约7.3mm × 5.0mm
　　极性：有极性（需注意正负极连接）
　　安装方式：表面贴装（SMT） 特性

LGN2V681MELB50采用导电性高分子（Conductive Polymer）作为电解质材料，这一技术显著提升了电容器的整体性能表现。与传统的液态电解质铝电解电容相比，导电高分子材料具有更高的电导率，从而大幅降低了电容器的等效串联电阻（ESR），通常可低至30mΩ以下，这使得器件在高频开关电源环境中能够有效抑制电压波动，提高系统的稳定性和响应速度。低ESR还意味着更少的能量损耗转化为热量，有助于提升电源转换效率并降低温升，延长整个电子系统的使用寿命。
　　该型号具备出色的纹波电流处理能力，在100kHz频率下可承受高达1700mA的RMS纹波电流，适合用于高频率工作的DC-DC转换器输出端进行滤波和储能。同时，由于其固态结构，不会出现液态电解液干涸的问题，因此在高温环境下仍能保持长期稳定的电气性能。在+105℃的工作温度条件下，该电容的设计寿命可达10000小时，远超普通液态电解电容的2000~5000小时水平，极大增强了设备的可靠性和耐用性。
　　LGN2V681MELB50还表现出极低的漏电流特性，这对于电池供电设备或待机功耗要求严格的系统尤为重要。低漏电流减少了不必要的静态功耗，有助于延长移动设备的续航时间。此外，该电容器对反向电压和过压极为敏感，必须严格按照极性安装，并建议在电路设计中加入保护措施以防止瞬态电压冲击造成损坏。其表面贴装封装形式不仅节省空间，而且兼容现代高速SMT生产线，提升了量产效率和焊接可靠性。整体而言，这款电容器集高性能、长寿命、小型化和环保于一体，是高端电源设计中的理想选择。 应用

LGN2V681MELB50主要用于需要低ESR、高纹波电流能力和长寿命的电源电路中。典型应用场景包括主板上的CPU供电模块，作为核心电压（Vcore）的去耦和滤波元件，确保处理器在高负载切换时获得稳定的电流供应。在DC-DC降压或升压转换器的输出端，该电容器可有效平滑输出电压，抑制开关噪声，提升电源品质。此外，它也常用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电源管理系统中，特别是在电池充电管理IC和PMU（电源管理单元）周围，发挥储能和稳压作用。
　　在通信设备如路由器、交换机和基站模块中，LGN2V681MELB50可用于为FPGA、ASIC和DSP等大规模集成电路提供局部电源去耦，减少高频干扰对信号完整性的影响。工业控制系统中的PLC、伺服驱动器和传感器模块同样受益于其高可靠性和耐温性能，尤其是在宽温环境下的持续运行需求。另外，该器件也可应用于LED照明驱动电源、医疗电子设备以及汽车电子中的辅助控制系统（非引擎舱内），满足对安全性和稳定性要求较高的场合。由于其无铅环保特性，符合国际绿色制造标准，适用于出口型电子产品和高环保要求项目。 替代型号

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　　 "SP-Cap POSCAP LGN2V681MELB50",
　　 "Panasonic APX-F系列 APXF2V681MELB",
　　 "Nichicon PL系列 PLZ2A681MPH",
　　 "Kemet AO-CAP AOCVD2V681ME",
　　 "Samsung Electro-Mechanics SEPC series SEPC2V681MP"
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