UVZ2A470MPD1TD 时间：:21 阅读：19

UVZ2A470MPD1TD是一款由Vishay Precision Group（威世精密集团）生产的高精度表面贴装铝电解电容器。该器件属于Vishay的硅二氧化物（SiO2）技术平台，专为需要长寿命、高稳定性和低泄漏电流的应用而设计。该电容器采用导电聚合物作为阴极材料，结合独特的阳极氧化层和二氧化锰技术，提供了比传统铝电解电容器更优异的性能表现。其主要特点包括极低的等效串联电阻（ESR）、良好的温度稳定性以及出色的纹波电流处理能力。UVZ2A470MPD1TD的标称电容值为47μF，额定电压为100V DC，适用于在高温和高应力环境下长期可靠运行。该器件广泛应用于工业控制、医疗设备、测试测量仪器、电源管理模块以及航空航天电子系统中。
　　该产品符合RoHS指令要求，并且具备无铅焊接兼容性，支持回流焊工艺，适合自动化SMT（表面贴装技术）生产线使用。封装形式为径向引线式但优化为表面贴装安装，具有较高的机械强度和热循环耐受能力。此外，该电容器在老化过程中经过严格的筛选和测试，确保每一批次都具备一致的电气特性和可靠性。由于其稳定的电参数随时间和温度的变化较小，因此特别适用于对长期稳定性有严格要求的精密模拟电路和基准电源设计中。 参数

电容值：47μF
　　额定电压：100V DC
　　最大工作温度：+125°C
　　最小工作温度：-55°C
　　尺寸直径：Φ8mm
　　尺寸高度：10.5mm
　　等效串联电阻（ESR）：≤1.0Ω @ 120Hz, 20°C
　　漏电流：≤0.01×C×V 或 3μA（取较大值）
　　寿命：≥5000小时 @ +125°C
　　极性：有极性（需注意正负极连接） 特性

UVZ2A470MPD1TD具备卓越的长期稳定性与可靠性，这是其核心优势之一。该电容器采用先进的阳极箔制造工艺，通过高纯度铝箔进行电化学蚀刻和氧化形成致密的Al2O3介电层，从而实现高击穿电压和低漏电流。这种结构不仅提升了单位体积的储能密度，还显著降低了介质损耗。与此同时，使用导电聚合物作为阴极材料替代传统的液体电解质，极大地改善了电容器的频率响应特性，使其在高频下仍能保持较低的等效串联电阻（ESR），这对于开关电源中的滤波和去耦应用至关重要。
　　另一个关键特性是其出色的温度性能。该器件可在-55°C至+125°C的宽温范围内稳定工作，且电容值变化率较小，典型ΔC/C0小于±15%。这使得它非常适合用于极端环境下的电子系统，如井下探测设备或车载动力控制系统。此外，由于没有液态电解质，避免了传统电解电容常见的干涸问题，大幅延长了使用寿命，在+125°C条件下可保证至少5000小时的运行寿命，远超普通电解电容的标准（通常为1000~2000小时）。
　　该器件还表现出优异的抗振动和机械冲击能力，得益于固态结构和强化封装设计，能够在高加速度环境下保持电气完整性。同时，其低漏电流特性有助于提高精密积分电路、采样保持电路和高阻抗缓冲器的精度和稳定性。对于需要长时间维持电压水平而不发生显著衰减的应用场景，例如数据保持电路或备用电源系统，UVZ2A470MPD1TD是一个理想选择。此外，该产品通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于汽车级应用。 应用

UVZ2A470MPD1TD主要用于对可靠性、稳定性和寿命要求极高的高端工业与专用电子设备中。一个典型应用场景是在高精度电源模块中作为输出滤波电容，用于平滑DC/DC转换器或LDO稳压器的输出电压，抑制高频噪声和纹波干扰。由于其低ESR和高纹波电流承受能力，能够有效减少功率损耗并防止因发热导致的早期失效。
　　在测试与测量仪器领域，该电容器常用于构建参考电压源或基准电源电路，因其低漏电流和小电容漂移可保障测量系统的长期准确性。在医疗电子设备如病人监护仪、成像系统和植入式器械的外部控制单元中，该器件可用于关键信号调理路径中的耦合与去耦，确保生理信号采集的保真度。
　　此外，在航空航天和国防电子系统中，该电容器被广泛应用于雷达信号处理单元、飞行控制计算机和卫星通信模块的电源去耦网络中，以应对严苛的空间辐射和温度循环环境。其固态结构也使其不易受微重力或真空条件影响，适合空间应用。在高端汽车电子中，可用于ADAS（高级驾驶辅助系统）控制器、车载充电机（OBC）和电池管理系统（BMS）中，提供稳定可靠的储能与滤波功能。最后，在可再生能源系统如太阳能逆变器和风力发电控制器中，也可用于中间直流链路支撑电容，协助维持母线电压稳定。 替代型号

UVZ2A471MPD1TD
　　UVZ2A390MPD1TD
　　CL2408-476-R