UPV1V470MGD 时间：:51 阅读：23

UPV1V470MGD是一款由ROHM Semiconductor生产的硅P沟道MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效能开关操作的电路设计中。该器件采用先进的制造工艺，确保了在高频率和高效率应用中的稳定性和可靠性。UPV1V470MGD特别适用于需要低导通电阻和快速开关特性的电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制等。此外，该MOSFET的设计考虑了热性能优化，能够在较高的环境温度下保持良好的工作状态，从而提高了系统的整体可靠性。
　　这款P沟道MOSFET具有较小的封装尺寸，适合于空间受限的应用场合。其主要特点包括低阈值电压、低漏电流以及良好的抗静电能力，这些特性使得UPV1V470MGD成为便携式电子设备和其他对功耗敏感应用的理想选择。通过合理的设计，可以最大限度地发挥其性能优势，满足现代电子产品对小型化、轻量化及高性能的需求。 参数

型号：UPV1V470MGD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：P沟道
　　最大漏源电压(Vds)：-20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：-4.7A
　　脉冲漏极电流(Id_peak)：-12A
　　导通电阻(Rds(on))：30mΩ @ Vgs = -4.5V, Id = -2.5A
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：600pF @ Vds = 10V, Vgs = 0V
　　输出电容(Coss)：350pF @ Vds = 10V, Vgs = 0V
　　反向传输电容(Crss)：80pF @ Vds = 10V, Vgs = 0V
　　功率耗散(Pd)：1W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOP-8 特性

UPV1V470MGD具备出色的电气性能，特别是在低电压操作条件下表现出色。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提高系统效率。同时，该器件支持快速开关动作，减少了开关期间的能量损失，这对于高频开关应用尤为重要。此外，UPV1V470MGD拥有优秀的热稳定性，即使在高温环境下也能维持稳定的性能表现。这得益于其内部结构设计与材料选择上的优化，有效提升了散热效率。
　　另一个显著特点是其良好的抗静电放电(ESD)能力，能够承受一定程度的静电冲击而不损坏，这对于生产过程中的处理以及最终产品的长期使用都提供了额外的安全保障。此外，该MOSFET还具有较低的输入电容，这意味着它可以在高速信号下更快地开启或关闭，进一步增强了其在高频应用中的适应性。
　　为了确保最佳的工作效果，建议用户根据具体应用场景仔细评估所需的工作条件，并参考官方提供的数据手册进行正确的偏置设置。例如，在确定栅极驱动电压时应考虑到阈值电压范围，以保证充分饱和导通的同时避免过高的驱动电压导致潜在损害。总之，UPV1V470MGD凭借其综合性能优势，成为了众多工程师在设计高效能电源管理系统时优先考虑的选择之一。 应用

UPV1V470MGD常用于各类需要高效能开关功能的电子设备中，包括但不限于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等移动通信终端内的电源管理模块；工业自动化控制系统里的电机驱动电路；家用电器如空调、洗衣机中的变频控制单元；还有LED照明系统里作为调光或者恒流源的一部分。此外，由于其紧凑的封装形式和优良的电气特性，也适用于各种便携式医疗仪器、消费类电子产品以及其他要求小型化且高可靠性的场合。 替代型号

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　　 "RJK0345DPB",
　　 "Si2301DS",
　　 "AO3401A"
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