UVR2G3R3MPD 时间：:28 阅读：21

UVR2G3R3MPD是一款由Vishay Semiconductors生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS阵列），专门设计用于保护敏感的电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压事件的损害。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备快速响应时间和低钳位电压特性，能够在纳秒级时间内将瞬态高压引导至地，从而有效保护下游电路。UVR2G3R3MPD属于双向TVS二极管阵列，适用于交流或双极性信号线路的保护，广泛应用于通信接口、消费类电子产品和工业控制等领域。其封装形式为小型化的SOT-23（TO-236AB），便于在高密度印刷电路板上布局，并有助于节省空间。该器件符合RoHS环保标准，且通过了IEC 6、IEC 6和IEC 6等多项国际电磁兼容性（EMC）测试标准，确保在严苛环境下的可靠运行。 参数

类型：双向TVS二极管阵列
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：3.3V
　　击穿电压（VBR）：最小3.7V，典型值4.1V
　　最大钳位电压（VC）：12V（在IPP=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　峰值脉冲功率（PPP）：33W（8/20μs）
　　漏电流（IR）：小于1μA（在VRWM下）
　　电容值（Cj）：典型值为60pF（在0V偏压下）
　　响应时间：小于1ns
　　封装：SOT-23（TO-236AB）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　ESD耐受能力：±30kV（人体模型HBM） 特性

UVR2G3R3MPD具备卓越的瞬态电压抑制性能，其核心优势在于极低的工作电压与高效的过压保护能力相结合，适用于3.3V逻辑电平系统的防护需求。该器件采用双向结构设计，能够应对正负两个方向的瞬态电压冲击，因此特别适合用于差分信号线或交流耦合线路中，如USB数据线、音频接口和传感器信号路径等场景。其典型的击穿电压为4.1V，在略高于正常工作电压时即可启动保护机制，避免系统误触发的同时确保敏感元件不受损坏。
　　该TVS阵列具有非常低的动态电阻，能够在大电流瞬变事件中迅速降低钳位电压，从而减少对被保护电路的压力。配合小于1纳秒的响应时间，使其能在ESD事件发生的最初阶段即开始导通，有效限制电压上升幅度。此外，器件的寄生电容仅为60pF左右，对于高速信号传输的影响极小，不会引起明显的信号失真或衰减，适用于高达数十兆赫兹频率的应用环境。
　　UVR2G3R3MPD还具备出色的热稳定性和长期可靠性，在多次重复性浪涌冲击后仍能保持电气特性不变。其SOT-23封装不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，能够在紧凑型便携设备中实现高效布局。整体设计兼顾了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代电子系统中理想的前端保护解决方案之一。 应用

UVR2G3R3MPD广泛应用于各类需要ESD和瞬态电压保护的电子设备中，尤其是在便携式消费电子产品中表现突出，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源等。它常被部署在USB 2.0数据线（D+和D-）、耳机插孔、麦克风输入、触摸屏控制器信号线以及低速串行通信接口（如I2C、UART）上，防止因用户接触或环境干扰引起的静电损伤。
　　在工业控制系统中，该器件可用于保护PLC模块中的模拟输入/输出通道、人机界面（HMI）端口以及现场总线通信线路，提高系统的抗干扰能力和运行稳定性。此外，在汽车电子领域，尽管其主要定位并非车规级产品，但在部分非关键性的车载信息娱乐系统或附加模块中也可用于辅助性信号保护。
　　由于其符合多项国际EMC标准，UVR2G3R3MPD也常见于医疗设备、测量仪器和智能家居终端中，特别是在需要通过严格认证的产品设计中作为关键的EMI/ESD抑制元件使用。其小型化封装和高集成度特点使其成为PCB空间受限应用的理想选择。 替代型号

SM712-02MTD
　　SP3012-02UTG
　　TPD2E001DPYR