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UMA1C100MDD概述参数_中文资料_引脚图-

 

更新时间:2026-02-19 09:45:45

晨欣小编

UMA1C100MDD 时间::33 阅读:22

UMA1C100MDD是一款由松下(Panasonic)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于其高性能表面贴装电容器产品线的一部分。该器件主要设计用于满足工业、消费类电子以及通信设备中对高稳定性和可靠性的需求。作为一款额定电压为16V、标称电容值为10μF的X5R介质电容器,UMA1C100MDD在小型化封装内实现了较高的电容密度,适用于需要紧凑布局和高效能表现的应用场景。该元件采用先进的制造工艺,确保了良好的温度稳定性、低等效串联电阻(ESR)以及优异的抗老化性能。其结构基于镍/锡内部电极与陶瓷介质交替堆叠而成,外层端电极经过严格的镀层处理,以增强焊接可靠性和耐腐蚀能力。UMA1C100MDD通常应用于电源去耦、滤波电路、DC-DC转换器输入输出端以及各类模拟信号路径中的旁路用途。由于其具备较强的机械强度和热循环耐受性,适合回流焊工艺,并能在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性。此外,该型号符合RoHS环保标准,无铅兼容,支持现代绿色电子产品设计要求。 参数

电容值:10μF
  容差:±20%
  额定电压:16V
  介质材料:X5R
  工作温度范围:-55°C ~ +85°C
  温度特性:±15%(在-55°C至+85°C范围内)
  封装尺寸:0805(2012公制)
  长度:2.0mm
  宽度:1.2mm
  高度:1.2mm
  ESR(典型值):约15mΩ(频率相关)
  绝缘电阻:≥500MΩ或100Ω·F(取较大者)
  使用寿命:在额定电压与最高工作温度下可稳定运行至少1000小时
  直流偏压特性:在16V偏压下,电容值下降约40%-50%(典型)
  抗弯曲强度:符合IEC 6标准
  焊接耐热性:符合JIS C 0022标准 特性

UMA1C100MDD具有出色的电容稳定性与温度适应能力,其X5R介质材料保证了在-55°C到+85°C的宽温范围内电容变化不超过±15%,这对于需要在复杂环境条件下保持电路性能一致性的应用至关重要。该电容器采用高介电常数的陶瓷配方,在有限的空间内实现高达10μF的电容容量,显著提升了单位体积的能量存储效率。其0805小型封装形式不仅节省PCB空间,还便于自动化贴片生产,广泛适用于高密度组装的现代电子产品。
  该器件表现出较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使其在高频去耦和噪声抑制方面表现优异,尤其适合用于开关电源系统的输入输出滤波环节。即使在高频工作状态下,仍能维持较高的阻抗衰减能力,有效减少电压波动和电磁干扰。同时,得益于优化的内部电极结构设计,其直流偏压导致的电容衰减相对可控,在施加接近额定电压的直流偏置时,仍可保留约50%-60%的标称电容,优于许多同类产品。
  UMA1C100MDD具备良好的机械鲁棒性,经过专门设计以抵抗因PCB弯曲或热应力引起的裂纹风险,从而提高整体系统可靠性。其端子采用三层电镀结构(铜-镍-锡),增强了可焊性和长期环境耐久性,防止氧化和界面退化。此外,该元件通过了严格的质量认证流程,符合AEC-Q200等可靠性标准(视具体批次而定),适用于汽车电子等严苛应用场景。批量一致性高,适合大规模自动化生产和长期供货项目使用。 应用

UMA1C100MDD广泛应用于多种电子系统中,特别是在需要高电容密度与良好温度稳定性的场合。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元去耦电容。在这些设备中,它被部署于处理器、GPU或PMIC芯片附近,用于平滑瞬态电流变化,降低电源噪声,保障核心器件稳定运行。
  在通信模块中,该电容器可用于射频前端供电线路的滤波,提升信号完整性和抗干扰能力。同时,在各类DC-DC降压或升压转换电路中,UMA1C100MDD常作为输入储能电容或输出滤波电容使用,帮助降低纹波电压并提高转换效率。其低ESR特性有助于减少功率损耗,提升整体能效表现。
  工业控制设备、医疗仪器及家用电器中的微控制器供电部分也普遍采用此类电容进行本地旁路。此外,在汽车电子系统如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制模块中,该型号凭借其可靠的热循环性能和抗振动能力,成为理想的去耦选择。对于需要符合环保法规的产品设计,其无铅、无卤素构造支持绿色制造合规性。 替代型号

GRM21BR71C106KA01L
  C2012X5R1C106K125AE
  CL21A106KAQNNNE
  TC3216X5R1C106K50RMT

 

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