UMA1V100MDD 时间：:02 阅读：22

UMA1V100MDD是一款由松下（Panasonic）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于电子电路中的去耦、滤波和旁路应用。该器件属于松下FR系列，具有高可靠性和稳定性，广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信系统中。这款电容采用X5R介电材料，具备良好的温度特性，在-55°C至+85°C的工作温度范围内电容值变化不超过±15%。其额定电压为35V DC，标称电容值为10μF（微法），容差为±20%，符合EIA标准的尺寸封装，具体为1210（3225公制）。
　　UMA1V100MDD在设计上优化了直流偏压性能，能够在较高电压下保持相对稳定的电容输出，这对于电源轨滤波尤其重要。此外，该元件具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于提升高频下的滤波效率，减少噪声干扰。由于采用镍阻挡层端子结构（Nickel Barrier Terminal），它还具备优异的可焊性和耐热冲击能力，适合回流焊工艺，并能承受多次热循环而不影响电气性能。 参数

类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：10μF
　　容差：±20%
　　额定电压：35V DC
　　介电材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　温度特性：±15%
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　厚度：最大2.5mm
　　端子类型：镍阻挡层（Ni barrier）
　　焊接方式：表面贴装（SMT）
　　耐焊热性：符合JIS C 0040标准
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 RC ≥ 500Ω·F（取较小值）
　　使用寿命：在额定电压和+85°C下至少1000小时 特性

UMA1V100MDD采用先进的叠层制造工艺，确保每一层介质与电极之间的均匀性和一致性，从而实现高容量密度与小型化之间的平衡。其内部电极为贵金属材料（如钯银合金），外加镍阻挡层和锡镀层，有效防止铜扩散导致的可靠性下降问题，显著提高长期使用中的稳定性和抗环境应力能力。这种结构设计不仅增强了器件的机械强度，也提升了在潮湿、高温等恶劣环境下的耐久性。
　　该电容器的X5R陶瓷介质具有较平坦的温度响应曲线，在宽温范围内电容值波动小，适用于需要稳定电容特性的电源去耦场合。相比Y5V等其他介电材质，X5R在相同体积下虽然容量略低，但温度稳定性更优，更适合用于对精度要求较高的应用场景。此外，UMA1V100MDD在直流偏置下的电容保持率表现良好，即使在接近额定电压时仍能维持超过50%的标称电容，这对于现代低压大电流供电系统中的瞬态响应调节至关重要。
　　该器件符合RoHS指令，无铅且环保，支持无铅回流焊接工艺。其低ESR和低ESL特性使其在高频开关电源中表现出色，能够有效抑制电压纹波和电磁干扰（EMI）。同时，松下对该型号进行了严格的可靠性验证，包括高温高湿偏压测试（H3TRB）、温度循环测试（TCT）和耐久性寿命评估，确保产品在严苛工况下长期可靠运行。因此，UMA1V100MDD被广泛推荐用于DC-DC转换器输出滤波、FPGA或ASIC的旁路供电网络以及便携式设备的电池管理电路中。 应用

UMA1V100MDD常用于各类需要中高压、中等容量去耦电容的电子设备中。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的输入/输出滤波电容，用于平滑电压波动并降低传导噪声。在DC-DC降压或升压转换电路中，该电容可作为输出储能元件，帮助维持负载突变时的电压稳定性。此外，由于其良好的高频响应特性，也被广泛用于数字集成电路（如微处理器、GPU、FPGA）的电源引脚旁路，以吸收高频瞬态电流，防止电源塌陷。
　　在通信设备中，UMA1V100MDD可用于射频模块的直流供电路径滤波，消除来自电源线的杂散干扰，保障信号完整性。工业控制系统中的PLC、传感器模块和人机界面设备也常采用此类电容来增强电源抗扰度。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能电视和家用路由器同样大量使用该型号进行多点去耦布局。
　　另外，由于其具备一定的耐高温和耐湿性能，UMA1V100MDD也可应用于汽车电子中的非引擎舱区域，例如车载信息娱乐系统、ADAS辅助系统的电源管理单元等，满足AEC-Q200部分可靠性要求。医疗电子设备中对长期稳定性要求较高的便携式监护仪或诊断装置也会选用此型号作为关键去耦元件。总之，凡是需要在有限空间内实现高效、稳定储能与滤波功能的场景，UMA1V100MDD都是一个可靠的选择。 替代型号

GRM32ER7EA35V106ME11L
　　CL31A106KP5NQNC
　　C322C106K3R5TA7800