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UVZ2A3R3MDD概述参数_中文资料_引脚图-

 

更新时间:2026-02-06 08:46:46

晨欣小编

UVZ2A3R3MDD 时间::14 阅读:20

UVZ2A3R3MDD是一款由松下(Panasonic)公司生产的导电性高分子固体铝电解电容器,属于其高性能电容器产品线中的一员。这类电容器通常被设计用于需要低等效串联电阻(ESR)、高纹波电流处理能力以及长使用寿命的应用场景。UVZ2A3R3MDD的具体命名遵循了松下电容器的型号编码规则,其中包含了额定电压、电容值、尺寸代码及其他特性信息。该器件采用表面贴装技术(SMD)封装,适用于自动化贴片生产流程,广泛应用于通信设备、计算机主板、电源模块以及其他对稳定性要求较高的电子系统中。作为一款固态电解电容器,它相较于传统的液态铝电解电容,在寿命、温度稳定性、ESR表现和耐高温性能方面具有明显优势。其导电性高分子电解质材料不仅提升了导电效率,还显著降低了内部损耗,从而提高了整体可靠性。此外,该型号具备无铅(Pb-free)特性,符合RoHS环保标准,适合现代绿色电子产品制造需求。在实际应用中,UVZ2A3R3MDD常被用作去耦电容、滤波电容或储能元件,特别是在开关电源输出级或DC-DC转换器旁路电路中发挥关键作用。 参数

电容值:3.3μF
  额定电压:2A(100V)
  系列:UVZ
  温度范围:-55°C ~ +105°C
  尺寸代码:D(具体尺寸需查手册)
  寿命:5000小时 @ 105°C
  安装类型:表面贴装(SMD)
  引出方式:底面电极
  电介质材料:导电性高分子固体电解质
  ESR典型值:较低(具体数值参考数据手册)
  极性:有极性(需注意正负极连接) 特性

UVZ2A3R3MDD所采用的导电性高分子固体电解质技术是其核心优势之一。与传统使用液态电解液的铝电解电容器相比,这种材料从根本上解决了电解液干涸的问题,从而大幅延长了电容器的使用寿命。即使在高达+105°C的工作环境中,该器件也能稳定运行达5000小时以上,表现出卓越的热稳定性与长期可靠性。此外,由于高分子材料本身具有优异的导电性能,使得该电容器拥有非常低的等效串联电阻(ESR),通常可低至几毫欧到几十毫欧之间,这有助于减少高频工作下的能量损耗和发热现象,提高电源系统的整体效率。
  低ESR特性使其特别适用于高频开关电源环境,例如在CPU供电的VRM(电压调节模块)或多相Buck转换器中作为输出滤波电容使用。在此类应用中,电容器需要频繁承受较大的纹波电流,而UVZ2A3R3MDD凭借其高纹波电流承受能力和快速响应特性,能够有效平滑输出电压波动,抑制噪声干扰,保障负载端供电质量。同时,其底面电极结构设计优化了焊接可靠性和散热路径,增强了机械强度,防止因热应力导致的焊点开裂问题。
  该型号还具备良好的阻抗频率特性,在宽频范围内保持稳定的电容性能,适用于多种信号耦合、旁路和去耦场景。其无铅化设计符合当前主流环保法规要求,包括RoHS和REACH指令,支持回流焊工艺,兼容现代SMT生产线。此外,由于采用了铝电解体系,该电容器仍为有极性元件,因此在电路设计和装配过程中必须严格遵守极性标识,避免反向电压施加,否则可能导致器件失效甚至损坏。总体而言,UVZ2A3R3MDD是一款集高性能、长寿命与小型化于一体的先进固态电容器,适用于对电源完整性要求严苛的高端电子设备平台。 应用

UVZ2A3R3MDD广泛应用于各类需要高可靠性、低ESR和良好高频特性的电子设备中。在通信基础设施领域,如基站电源模块、光传输设备和网络交换机中,该电容器常用于DC-DC变换器的输入/输出滤波环节,以应对复杂电磁环境下的瞬态负载变化和电压扰动。在工业控制设备中,例如PLC控制器、伺服驱动器和人机界面装置,它被用于电源去耦和稳压电路,确保控制系统在恶劣工况下仍能稳定运行。消费类电子产品,尤其是高端笔记本电脑、台式机主板及游戏主机中,也常见此类电容器的身影,尤其是在CPU/GPU供电电路中承担关键的退耦任务,提升动态响应速度和供电纯净度。
  此外,在医疗电子设备中,由于对安全性和长期稳定性要求极高,UVZ2A3R3MDD因其长寿命和低故障率成为理想选择,可用于影像处理单元或生命体征监测模块的电源管理部分。新能源领域如太阳能逆变器、电动汽车车载充电机(OBC)和充电桩内部的辅助电源系统,同样可以利用该电容器出色的温度耐受性和纹波电流处理能力,提升能量转换效率并降低维护成本。测试与测量仪器对信号完整性的要求极为严格,该器件可用于精密电源轨的噪声抑制,保证测试结果的准确性。最后,在航空航天和轨道交通等高可靠性应用场景中,虽然可能需要更高规格的产品认证,但基于类似技术平台的设计理念,UVZ2A3R3MDD的技术基础也为这些领域的元器件选型提供了重要参考。无论是面对高温、高湿还是剧烈温度循环的环境考验,该电容器均展现出优于传统电解电容的综合性能表现,因而成为现代电子系统中不可或缺的关键被动元件之一。 替代型号

UMK325AB3R3ML-T

 

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