UVR2AR33MDD 时间：:24 阅读：28

UVR2AR33MDD是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管（TVS二极管阵列），专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件（如静电放电ESD、电快速瞬变脉冲群EFT以及雷击感应浪涌）的损害而设计。该器件采用紧凑的双引线DFN（Dual Flat No-lead）封装，具有低电容特性，适用于高速数据线路的信号完整性保护。UVR2AR33MDD集成了两个独立的TVS二极管通道，每个通道均可提供双向过压保护，使其非常适合用于差分信号线路或需要对正负向瞬态电压均具备防护能力的应用场景。其工作温度范围宽，通常支持-55°C至+150°C的环境温度操作，确保在严苛工业与汽车环境中仍能稳定运行。该器件符合RoHS环保标准，并且具备无卤素（Halogen-free）和符合AEC-Q101汽车级可靠性认证的特点，广泛应用于车载电子系统、通信接口、便携式消费类电子产品等领域。由于其小型化封装和高可靠性，UVR2AR33MDD在现代高密度PCB布局中具有显著优势，能够在不牺牲性能的前提下节省宝贵的电路板空间。 参数

产品类型：TVS二极管阵列
　　通道数：2
　　极性：双向
　　击穿电压（V_BR）：3.8V（最小值）
　　反向关断电压（V_RWM）：3.3V
　　钳位电压（V_C）：10V（典型值，Ipp = 1A）
　　峰值脉冲电流（I_pp）：20A（单脉冲，8/20μs波形）
　　峰值脉冲功率（P_pk）：200W（8/20μs）
　　漏电流（I_R）：小于1μA（典型值）
　　电容值（C_j）：15pF（典型值，f = 1MHz）
　　工作结温范围（T_J）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN-2L (SOD-962) 特性

UVR2AR33MDD的核心特性之一是其双向保护能力，这意味着它能够有效应对正向和负向的瞬态电压冲击，特别适用于可能存在反向电压波动或交流耦合信号路径的应用场合。这种双向结构通过内部对称的PN结设计实现，在受到超过击穿电压的瞬态电压时迅速导通，将多余能量泄放到地，从而保护后端IC不受损坏。该器件的低动态电阻和快速响应时间（通常在皮秒级别）使其能够在纳秒级的ESD事件中迅速动作，限制电压上升幅度，确保被保护线路的安全。
　　另一个关键优势在于其极低的结电容（典型值仅为15pF），这对于高速信号传输至关重要。在USB、HDMI、RS-485、CAN总线等高频接口中，过高的寄生电容会导致信号衰减、反射和失真，影响通信质量。UVR2AR33MDD凭借其优化的半导体工艺，在保持强大保护能力的同时最大限度地减少了对信号完整性的干扰，使得它成为高速数据线路的理想选择。
　　此外，该器件采用DFN-2L超小型封装，尺寸通常仅为1mm x 1.6mm左右，适合空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其坚固的结构设计结合符合AEC-Q101的汽车级认证，也使其能在高温、振动和湿度变化等恶劣环境下长期可靠工作，广泛用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口和车身控制模块中。整体而言，UVR2AR33MDD在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于多领域过压保护的高性能TVS解决方案。 应用

UVR2AR33MDD常用于各类需要抗静电和浪涌保护的电子系统中，尤其适合高速数据通信接口的防护。在便携式消费类电子产品中，例如智能手机和平板电脑，它可用于保护耳机插孔、USB Type-C端口、触摸屏控制器及其他外部连接器引脚免受人体模型（HBM）或机器模型（MM）ESD事件的影响。在工业自动化领域，该器件可部署于PLC输入输出模块、现场总线收发器（如RS-485/422）以及传感器接口电路中，抵御工厂环境中常见的电快速瞬变（EFT）干扰。
　　在汽车电子方面，UVR2AR33MDD因其AEC-Q101认证而被广泛应用于车载网络节点，如CAN FD总线、LIN总线以及摄像头模组的数据线保护。这些系统经常暴露在点火噪声、负载突降（load dump）感应电压和谐振引起的瞬态干扰下，使用该TVS器件可显著提升系统的电磁兼容性（EMC）表现和长期稳定性。此外，在医疗设备中，特别是便携式监护仪或诊断仪器的人机交互接口上，也需要此类低电容、高可靠性的保护元件来满足严格的安规和抗扰度要求。
　　由于其双通道双向设计，UVR2AR33MDD也可用于差分对信号线的共模与差模过压保护，比如Ethernet PHY接口或LVDS链路。在这些应用中，两个通道可以分别保护一对差分线，确保两侧信号同步响应瞬态事件，避免因保护器件响应不一致而导致的信号失衡问题。总之，该器件适用于任何对信号速率、封装尺寸和保护效能有综合要求的现代电子设计场景。 替代型号

SM712-02MTD
　　TPD2E007DPYR
　　SP1205-04UTG