UPW2E3R3MPD 时间：:18 阅读：21

UPW2E3R3MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench栅极工艺技术制造，专为高效率和高性能的电源管理应用设计。该器件封装在紧凑的表面贴装PowerMOS8封装中，有助于减小PCB占用空间，同时提供良好的热性能。UPW2E3R3MPD具有低导通电阻（RDS(on)），可在低电压、大电流开关应用中实现较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该MOSFET适用于电池供电设备、便携式电子产品以及需要节能和小型化设计的各类应用。其P沟道特性使得在高端开关配置中驱动更为简便，无需额外的电荷泵电路即可实现逻辑电平控制。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和稳定性，适合工业级工作温度范围内的长期运行。 参数

型号：UPW2E3R3MPD
　　类型：P沟道
　　连续漏极电流（ID）：-6A
　　漏源击穿电压（V(BR)DSS）：-20V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-1.0V 至 -2.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：33mΩ @ VGS = -4.5V；42mΩ @ VGS = -2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ VDS = 10V
　　反向恢复时间（trr）：不适用（P沟道无体二极管快速恢复要求）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerMOS8（SOP-8宽体）
　　功率耗散（PD）：2.5W（TA=25°C） 特性

UPW2E3R3MPD采用ROHM专有的Trench结构技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而在低电压开关应用中有效减少功率损耗。该器件在VGS=-4.5V时的典型RDS(on)仅为33mΩ，在VGS=-2.5V时为42mΩ，表现出优异的低电压驱动能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接控制的开关电路。这种低阈值特性使其能够在电池电压逐渐下降的情况下仍保持良好的导通状态，非常适合用于移动设备中的负载开关或电源路径管理。
　　该MOSFET的封装为PowerMOS8，即一种增强散热性能的SOP-8宽体封装，相较于传统封装具有更低的热阻，提高了功率密度和长期工作的可靠性。其最大连续漏极电流可达-6A，支持较高负载的应用场景，如DC-DC转换器的同步整流或电机驱动电路中的高端开关。同时，器件具备良好的雪崩耐受能力和抗瞬态过压能力，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。
　　UPW2E3R3MPD还优化了寄生参数，例如输入电容Ciss仅为500pF（在VDS=10V条件下），有助于降低驱动电路的功耗并提升开关速度。由于是P沟道器件，它在高端开关应用中无需复杂的栅极驱动电路，简化了系统设计并降低了整体成本。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置测试（HTRB）、高温栅极偏置测试（HTGB）等，确保在工业和消费类应用场景下的长期稳定运行。 应用

UPW2E3R3MPD广泛应用于需要高效能、小尺寸和低功耗特性的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电池开关与电源选择电路。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为负载开关的理想选择，可用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔保护。
　　此外，该器件也适用于DC-DC降压变换器中的高端开关部分，特别是在非隔离式Buck电路中作为主开关使用。在这些应用中，P沟道MOSFET的优势在于简化了栅极驱动设计，避免了N沟道器件所需的自举电路，从而降低了设计复杂度和元件数量。同时，它也可用于ORing电路、逆连接保护电路以及电机驱动中的桥式拓扑结构。
　　在工业控制领域，UPW2E3R3MPD可用于PLC模块、传感器供电控制和小型继电器替代方案。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够适应严苛的环境条件。此外，由于其符合RoHS标准且不含卤素，因此适用于对环保要求较高的终端产品。无论是消费类电子还是工业设备，UPW2E3R3MPD都能提供可靠的开关性能和高效的能量传输解决方案。 替代型号

AP2302GN-HF
　　SI2301ADS-T1-E3
　　AO3401A
　　FDN302P