UPS2C100MPD 时间：:58 阅读：25

UPS2C100MPD是一款由Unipower（友台半导体）推出的高性能、高可靠性的P沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及DC-DC转换电路中。该器件采用先进的沟槽式MOS工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性等优点，能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的功率控制。其封装形式为SOT-23（Small Outline Transistor），是一种小型化、表面贴装的三引脚封装，适合对空间要求严苛的便携式电子设备。由于其P沟道特性，UPS2C100MPD在关断N沟道MOSFET难以实现的高端开关应用中表现出色，常用于替代机械继电器或作为理想二极管使用。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗静电（ESD）保护能力，适用于工业控制、消费类电子产品、智能手机、平板电脑、无线耳机、移动电源等多种场景。 参数

型号：UPS2C100MPD
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-8.2A
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：25mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ VDS=10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS=10V
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23 特性

UPS2C100MPD的核心优势在于其超低导通电阻与宽泛的栅极驱动兼容性，使其在低电压、大电流的应用环境下表现尤为出色。该器件在VGS = -1.8V时即可实现低至25mΩ的RDS(on)，这意味着即使在电池电量下降导致供电电压降低的情况下，依然能够维持较高的效率，显著减少功率损耗和发热。这一特性特别适用于以锂电池供电的便携设备，如蓝牙耳机、智能手表和TWS耳机等，有助于延长设备续航时间并提升系统可靠性。其低阈值电压设计使得可以直接由逻辑信号或低压控制器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了整体电源架构的设计复杂度。
　　此外，该MOSFET采用先进的沟槽工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时有效降低了寄生参数的影响。输入电容（Ciss）仅为450pF，反向传输电容（Crss）低至50pF，这不仅加快了开关速度，还减少了开关过程中的能量损耗，提高了系统的动态响应性能。在高频开关电源或负载切换应用中，这种低电容特性有助于降低电磁干扰（EMI），提升整体系统稳定性。
　　热性能方面，尽管SOT-23封装体积小巧，但通过优化芯片布局与封装材料，UPS2C100MPD仍具备良好的散热能力，在适当的PCB布局下可支持持续4.1A的漏极电流。其高达+150℃的最大工作结温确保了在高温环境下的稳定运行，适用于工业级应用场景。器件还内置了一定程度的ESD保护机制，增强了在生产、装配和使用过程中的鲁棒性，降低了因静电放电导致损坏的风险。 应用

UPS2C100MPD主要应用于需要高效、紧凑型功率开关解决方案的电子系统中。典型用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的电源通断，从而实现节能与电源管理；在电池供电系统中作为高端开关，用于电池充放电管理或防止反向电流；在DC-DC转换器中作为同步整流或高端开关元件，提升转换效率；也可用于USB电源开关、过流保护电路、热插拔控制以及电机驱动中的低边或高边开关。由于其快速响应能力和低静态功耗，该器件非常适合用于待机模式下的电源隔离，有效降低系统漏电流。此外，在智能家居设备、物联网终端、可穿戴设备和小型无人机等对空间和能效要求极高的产品中，UPS2C100MPD凭借其小封装与高性能的结合，成为理想的功率开关选择。 替代型号

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