UPW2V010MPD 时间：:53 阅读：24

UPW2V010MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽式结构设计，能够提供较低的导通电阻和较高的开关效率，适合在高密度和高性能要求的应用场景下使用。UPW2V010MPD封装于小型化且具有良好散热性能的表面贴装型封装（如SOP或类似封装），使其非常适合便携式设备、电池供电系统以及空间受限的设计中。
　　这款MOSFET特别适用于负载开关、DC-DC转换器、电压调节模块以及其他需要低功耗和快速响应特性的应用。其P沟道特性允许在高端驱动配置中直接控制正电压轨，无需额外的电荷泵电路，在简化设计的同时提高了整体可靠性。此外，该器件具备良好的热稳定性和抗瞬态能力，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能，适用于工业级和消费类电子产品。 参数

型号：UPW2V010MPD
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-1.9A（@TA=25°C）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-4.8A
　　导通电阻(RDS(ON))：135mΩ（@VGS=-4.5V）；110mΩ（@VGS=-10V）
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：270pF（@VDS=-10V）
　　输出电容(Coss)：160pF（@VDS=-10V）
　　反向恢复时间(trr)：未内置体二极管快速恢复功能
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-J（8引脚） 特性

UPW2V010MPD采用了ROHM专有的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构通过优化沟道载流子迁移路径，显著降低了导通电阻RDS(ON)，从而减少了导通损耗并提升了能效。该器件在VGS=-10V时可实现低至110mΩ的导通电阻，即便在较低驱动电压下（如-4.5V），仍能维持135mΩ的优异表现，确保在不同电源条件下均具有出色的性能稳定性。
　　该MOSFET具备良好的栅极电荷特性，总栅极电荷Qg较低，有助于减少开关过程中的驱动功耗，提升高频开关应用下的效率。同时，其输入电容Ciss仅为270pF，输出电荷Qoss也控制在较低水平，这使得器件在高速开关操作中表现出更短的延迟时间和更快的响应速度，适用于对动态响应要求较高的电源管理系统。
　　UPW2V010MPD还集成了完善的保护机制，包括过温保护与热关断功能，当芯片结温接近安全极限时会自动限制电流或关闭输出，防止因过热导致永久性损坏。此外，该器件对静电放电（ESD）具有较强的耐受能力，HBM模型下可达±2000V，增强了在实际装配和运行环境中的可靠性。
　　得益于其SOP-J 8引脚的小型封装设计，UPW2V010MPD不仅节省PCB空间，还通过外露焊盘增强散热能力，使热量能有效传导至PCB，延长器件寿命并提高系统稳定性。该封装符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊接工艺，适用于现代绿色电子产品的生产流程。 应用

UPW2V010MPD常用于各类低压直流电源管理场景，尤其适合作为高端开关器件在电池供电设备中控制主电源通断。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的负载开关电路，用于实现各功能模块的独立供电与节能管理。
　　在DC-DC转换器拓扑中，该器件可用于同步整流或输入侧开关控制，凭借其低RDS(ON)和快速开关特性，有效降低能量损耗，提高转换效率。此外，它还可用于USB电源开关、LDO旁路控制、热插拔控制器以及各种需要精确电源时序控制的嵌入式系统中。
　　工业控制领域中，UPW2V010MPD可用于传感器模块、小型PLC单元和远程I/O设备的电源切换，其宽工作温度范围和高可靠性保障了在恶劣环境下的长期稳定运行。在家用电器方面，如智能家电主控板、电源管理单元中也可看到其身影，用于实现待机模式下的零功耗或微功耗设计。
　　由于其具备良好的抗噪声能力和稳定的电气参数，该器件也被广泛应用于汽车电子中的非动力域系统，例如车载信息娱乐系统的电源管理、车内照明控制模块等，满足车规级应用对可靠性和耐用性的基本需求。