UKW1H2R2MDD 时间：:55 阅读：25

UKW1H2R2MDD是一款由松下（Panasonic）公司生产的表面贴装型多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于松下广泛的电容产品线，专为高性能和高可靠性应用设计。这款电容器采用小型化封装，适用于空间受限的现代电子设备。其标称电容值为2.2μF，额定电压为50V DC，具有较高的体积效率，能够在有限的空间内提供较大的电容量。该器件使用X5R型介电材料，这种材料在-55°C至+85°C的温度范围内具有±15%的电容变化率，适合在中等温度波动环境下稳定工作。UKW1H2R2MDD采用标准的EIA 0805（2012公制）封装尺寸，便于自动化贴片生产和回流焊工艺，广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信模块中。由于其优良的电气性能和机械稳定性，该电容器常被用于电源去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路功能中。此外，该产品符合RoHS环保要求，并具备良好的抗湿性和长期可靠性，适合在严苛环境条件下长期运行。 参数

电容：2.2μF
　　额定电压：50V DC
　　电介质：X5R
　　温度特性：±15% (-55°C to +85°C)
　　封装尺寸：0805 (2012)
　　长度：2.0mm ±0.2mm
　　宽度：1.2mm ±0.2mm
　　高度：1.25mm Max
　　端接：镍阻挡层/锡涂层
　　电容容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C to +85°C
　　存储温度范围：-55°C to +125°C 特性

UKW1H2R2MDD所采用的X5R介电材料赋予了该电容器优异的温度稳定性，使其在-55°C至+85°C的工作温度范围内保持±15%的电容变化率。相较于Y5V等介电类型，X5R在温度变化下的电容稳定性更高，适合对电容值一致性有要求的应用场景。该特性使得UKW1H2R2MDD能够在不同环境温度下维持稳定的滤波和去耦性能，避免因电容漂移导致的电路异常。此外，X5R材料还具备较低的电容老化率，通常每年小于2.5%，确保器件在长期运行中的性能一致性。该电容器在直流偏置电压下的电容保持率也相对较高，尽管随着施加电压接近额定值，电容会有所下降，但其设计优化了这一效应，使其在实际应用中仍能提供可靠的储能能力。在机械结构方面，该MLCC采用多层叠层设计，内部电极交错排列，提高了单位体积内的有效电容面积，从而实现小尺寸大容量的目标。其端电极为镍阻挡层加锡涂层结构，不仅增强了焊接可靠性，还防止了银离子迁移问题，提升了长期使用的耐久性。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压测试（如85°C/85%RH）、热冲击测试和耐焊接热测试，确保在回流焊过程中不会出现裂纹或性能退化。整体而言，UKW1H2R2MDD在小型化、高容量、温度稳定性和可靠性之间实现了良好平衡，是现代电子设计中理想的去耦和滤波元件。
　　 应用

该电容器广泛应用于需要稳定电容性能和中等电压耐受能力的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元去耦，用于平滑DC-DC转换器输出电压并抑制高频噪声。在工业控制系统中，UKW1H2R2MDD可用于PLC模块、传感器接口电路和嵌入式微控制器的电源引脚旁路，提高系统抗干扰能力和稳定性。此外，在通信设备如路由器、交换机和无线模块中，该器件常被用作射频前端或数字信号处理器件的局部储能元件，确保瞬态电流需求得到及时响应。由于其符合RoHS标准且不含铅，该电容器适用于出口型电子产品和环保要求严格的设计项目。在汽车电子领域，虽然该型号并非AEC-Q200认证器件，但仍可用于非关键性的车载信息娱乐系统或辅助电源电路中。另外，得益于其良好的高频特性和低等效串联电阻（ESR），该MLCC也可用于中频滤波电路和耦合电路中，实现信号通路的交流成分传递与直流隔离。总体来看，UKW1H2R2MDD凭借其紧凑尺寸、适中电压等级和可靠的温度特性，成为众多中高端电子设计中不可或缺的基础元件之一。 替代型号

GRM21BR71H225KA01L
　　CL21B225KBQNNNE
　　C2012X5R1H225K