UVZ2D010MED 时间：:19 阅读：29

UVZ2D010MED是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装，适用于高密度印刷电路板设计。该器件主要面向电池供电设备、便携式电子产品以及需要低功耗和高效电源管理的应用场景。其设计优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，能够在较低的栅极驱动电压下实现良好的开关性能，适合用于负载开关、电源切换、逆变电路及信号控制等场合。UVZ2D010MED具备高可靠性与热稳定性，符合工业级工作温度范围要求，并通过了AEC-Q101车规认证，表明其在汽车电子系统中也具备适用性。
　　该MOSFET的封装形式为UMT5（也称为SC-89或SOT-765），具有较小的占位面积和良好的散热性能，便于在空间受限的应用中使用。器件采用环保材料制造，符合RoHS指令对有害物质的限制要求，支持无铅焊接工艺。由于其P沟道特性，在关断N沟道MOSFET难以实现的高端开关配置中表现出色，常被用于替代机械继电器或双极型晶体管以提高效率和响应速度。 参数

型号：UVZ2D010MED
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-1.8A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-3.6A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（当VGS = -4.5V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：55mθ（当VGS = -2.5V时）
　　阈值电压（Vth）：-0.7V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：230pF（当VDS=10V, VGS=0V时）
　　输出电容（Coss）：140pF
　　反向传输电容（Crss）：40pF
　　总栅极电荷（Qg）：5.8nC（当VDS=10V, ID=1.8A, VGS=4.5V时）
　　功率耗散（Pd）：500mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：UMT5（SC-89/SOT-765） 特性

UVZ2D010MED具备优异的电气特性和封装集成度，特别适用于低压、低功耗的电源管理系统。其关键优势之一是低导通电阻，在VGS = -4.5V条件下可达到45mΩ，这意味着在实际应用中能显著降低传导损耗，提升整体能效，尤其适合电池供电系统中延长续航时间的需求。此外，即使在较低的驱动电压如-2.5V下，其RDS(on)仍保持在55mΩ以内，这使得它能够兼容3.3V或更低逻辑电平的微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化设计并降低成本。
　　该器件具有较高的开关速度，得益于较小的输入电容（Ciss = 230pF）和总栅极电荷（Qg = 5.8nC），使其在高频开关应用中表现良好，例如DC-DC转换器中的同步整流或负载开关控制。同时，较低的反向传输电容（Crss）有助于减少米勒效应带来的误触发风险，提高开关稳定性。UVZ2D010MED还具备良好的热稳定性，其最大功率耗散为500mW，在适当的PCB布局下可通过铜箔散热有效维持结温在安全范围内。
　　另一个重要特性是其符合AEC-Q101车规标准，意味着该器件经过严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、高压蒸煮等，确保在汽车电子环境中长期可靠运行。因此，它可以广泛应用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、LED照明驱动等场景。此外，器件采用无铅、无卤素材料制造，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。封装尺寸小（典型尺寸约2mm × 1.6mm × 0.6mm），非常适合高密度贴装和自动化生产流程。 应用

UVZ2D010MED广泛应用于各类需要高效、紧凑型电源控制的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机，常用于电池电源的负载开关控制，实现不同功能模块的上电/断电管理，从而降低待机功耗并延长电池寿命。在工业控制领域，该器件可用于传感器模块、小型PLC接口电路或继电器驱动电路中的电平切换与隔离控制。
　　在通信设备中，UVZ2D010MED可作为射频开关或电源路径选择器的一部分，配合其他MOSFET构建H桥或双向开关结构。其快速响应能力和低导通损耗使其成为理想的选择。在汽车电子方面，由于通过AEC-Q101认证，该器件适用于车身电子系统，如车窗升降控制、门锁驱动、内部照明调光电路以及车载摄像头的电源管理单元。此外，在嵌入式系统和物联网节点中，常用于MCU GPIO扩展后的功率驱动级，实现对外部外设的使能控制。
　　在电源管理设计中，UVZ2D010MED可用于反向电流阻断电路（防止电池反接或备用电源倒灌）、OR-ing二极管替代方案以及LDO或DC-DC稳压器的启停控制。相比传统肖特基二极管，使用P沟道MOSFET可以大幅降低压降和发热，提高系统效率。此外，其小型封装适合用于空间受限的模块化设计，如SIM卡槽电源保护、USB端口过流保护开关等应用场景。 替代型号

DMG2301U-7
　　FMMT718
　　ZXM61P02FTA
　　AOZ8011PI