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UVZ2D4R7MPD概述参数_中文资料_引脚图-

 

更新时间:2025-12-04 09:52:01

晨欣小编

UVZ2D4R7MPD 时间::14 阅读:29

UVZ2D4R7MPD是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于保护敏感电子元件免受瞬态电压事件(如静电放电ESD、电感负载切换、雷击感应等)的损害。该器件采用紧凑型PowerPAD?封装,具有低箝位电压、快速响应时间和高脉冲功率处理能力的特点,适用于多种需要高可靠性保护的应用场景。其设计目标是为现代电子系统中的数据线、电源线和信号线提供高效且稳定的过压保护。由于采用了先进的半导体工艺,UVZ2D4R7MPD能够在极短的时间内将瞬态过电压引导至地,从而限制电压上升幅度,确保下游电路的安全运行。此外,该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性,适合在工业环境或恶劣工作条件下使用。 参数

类型:单向TVS二极管
  工作电压(VRWM):4.7V
  击穿电压(VBR):5.22V ~ 5.77V
  最大箝位电压(VC):9.2V @ 3.6A
  峰值脉冲电流(IPP):3.6A
  峰值脉冲功率(PPEAK):32.4W
  漏电流(IR):1μA 最大值
  响应时间:≤1ps
  电容值(Cj):100pF @ 0V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SMA (DO-214AC) 带 PowerPAD 特性

UVZ2D4R7MPD具备出色的瞬态电压抑制性能,能够在纳秒级时间内响应电压突变,有效防止因静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)或雷击感应引起的损坏。其单向二极管结构使其特别适用于直流电源线路的保护,能够承受高达32.4W的峰值脉冲功率,在短时间内吸收大量能量而不发生永久性失效。该器件的击穿电压范围控制在5.22V至5.77V之间,确保在正常工作电压4.7V下保持高阻抗状态,同时在过压事件发生时迅速导通并将电压箝位在安全水平(最大9.2V),从而保护后级集成电路。其低漏电流特性(最大1μA)保证了在待机或低功耗模式下的系统效率不受影响,避免不必要的电流损耗。
  此外,该TVS二极管具有100pF的结电容,在高频信号线路上也能保持良好的信号完整性,不会对通信质量造成显著干扰,因此不仅可用于电源保护,还可用于USB接口、RS-232端口、GPIO引脚等信号线的ESD防护。采用SMA封装并带有增强散热功能的PowerPAD设计,提升了热传导效率,有助于在多次瞬态冲击后快速恢复,延长器件寿命。该封装也便于自动化贴片生产,符合现代电子产品小型化、高密度组装的需求。器件符合RoHS环保标准,并通过了IEC 6、IEC 6和IEC 6等相关电磁兼容性测试标准,适用于工业控制、汽车电子、消费类电器和通信设备等多种应用场景。 应用

广泛应用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的充电端口和数据接口ESD保护;工业控制系统中PLC模块、传感器接口和继电器驱动电路的瞬态抑制;汽车电子系统中的车载娱乐单元、导航系统和车身控制模块的电源线防护;通信设备中路由器、交换机的数据线路防浪涌设计;以及各类使用微处理器、FPGA、ASIC等敏感IC的电路板上作为二级或三级过压保护元件。此外,也常用于电源适配器输出端、电池管理系统(BMS)和智能电表等对可靠性要求较高的场合。

 

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