UPA1C332MHD 时间：:31 阅读：41

UPA1C332MHD是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用高性能沟槽栅极和双扩散工艺技术制造，专为高效率开关应用设计。该器件封装在HZIP-7封装中，具有良好的散热性能，适用于需要紧凑尺寸和高效能的电源管理系统。UPA1C332MHD广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电源开关以及电池供电设备中的功率控制模块。该MOSFET具备低导通电阻特性，有助于降低传导损耗，提高整体系统效率。此外，其快速开关能力使其在高频操作环境下表现优异，适合现代便携式电子产品对小型化和节能的需求。器件符合RoHS环保标准，并具备可靠的热稳定性和电气稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。由于其优化的栅极结构，该MOSFET还表现出较低的栅极电荷和输入电容，从而减少了驱动电路的功耗并提升了响应速度。 参数

型号：UPA1C332MHD
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：32A
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS=10V, 4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：960pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：280pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　功耗(Pd)：2W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：HZIP-7 特性

UPA1C332MHD具备多项优异的电气与热力学特性，使其在同类功率MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻RDS(on)仅为22mΩ（在VGS=10V时），显著降低了在高电流条件下的导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并减少发热。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽栅极结构，不仅提升了载流子迁移率，还增强了电流处理能力。这种结构优化使得UPA1C332MHD在保持小尺寸的同时实现大电流承载，满足现代电子设备对高功率密度的要求。
　　再者，UPA1C332MHD具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，从而降低了驱动IC的负担，并支持更高的开关频率运行。这一特性在高频DC-DC转换器中尤为关键，有助于减小外围电感和电容的体积，进而实现系统小型化。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，其最大功耗为2W，在适当的散热条件下可长期稳定工作于-55℃至+150℃的结温范围内，适应严苛的工作环境。HZIP-7封装提供了优良的散热路径，增强了器件的可靠性。
　　最后，UPA1C332MHD内置了快速体二极管，反向恢复时间trr仅为28ns，有效减少了在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰，提升了系统安全性与EMI性能。这些综合特性使该器件成为高性能开关电源、电机控制和负载开关应用的理想选择。 应用

UPA1C332MHD广泛应用于多种中低电压功率控制场景。典型应用包括同步降压型DC-DC转换器，其中作为高端或低端开关使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理单元中，该器件用于电池供电路径的开关控制，实现高效的能量传递与待机功耗管理。
　　此外，它也适用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，能够提供稳定的电流控制和快速响应能力，确保电机平稳运行。在LED驱动电源中，UPA1C332MHD可用于恒流调节回路中的开关元件，配合PWM调光实现精确亮度控制。
　　工业控制领域中，该MOSFET常被用于固态继电器、电源分配开关及热插拔控制器中，利用其高可靠性和过载承受能力保障系统安全。同时，由于其符合RoHS标准且具备良好的抗噪声能力，也适用于汽车电子中的辅助电源系统，例如车用照明、传感器供电模块等非主驱类应用。总之，凡是需要高效、紧凑、可靠功率开关的场合，UPA1C332MHD均能提供出色的解决方案。 替代型号

SiSS047DN-T1-E3