送货至:

 

 

BUK7514-55A,127参数信息

 

更新时间:2026-02-23 21:59:34

晨欣小编

2023-03-17 10:26:20

  • 制造商产品型号:BUK7514-55A,127

  • 制造商:NXP USA Inc.

  • 描述:MOSFET N-CH 55V 73A TO220AB

  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 产品系列:TrenchMOS?

  • 零件状态:停产

  • FET类型:N 通道

  • 技术:MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):55V

  • 25°C时电流-连续漏极(Id):73A(Tc)

  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14 毫欧 @ 25A,10V

  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-

  • Vgs(最大值):±20V

  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2464pF @ 25V

  • FET功能:-

  • 功率耗散(最大值):166W(Tc)

  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:通孔

  • 器件封装:TO-220AB


 

上一篇: P5010NSE7QMB基本参数信息
下一篇: MC9S08QD4CSCR参数信息

热点资讯 - IC芯片

 

RTL8211F-CG手册
RTL8211F-CG手册
2026-02-28 | 1167 阅读
ICL7660AIBAZA-T 电源芯片
ICL7660AIBAZA-T 电源芯片
2026-02-27 | 1135 阅读
ISO1050DUBR物料参数
ISO1050DUBR物料参数
2026-02-27 | 1286 阅读
AT89C51ED2-RLTUM参数信息
AT89C51ED2-RLTUM参数信息
2026-02-26 | 1242 阅读
CDRH125-100MC参数信息
CDRH125-100MC参数信息
2026-02-25 | 1266 阅读
stm32f103c8t6数据手册及性能
stm32f103c8t6数据手册及性能
2026-02-25 | 1282 阅读
工业电力电子:IGBT 模块的选型与驱动电路抗干扰设计
骁龙665|SM6125芯片性能参数介绍
骁龙665|SM6125芯片性能参数介绍
2026-02-25 | 1051 阅读
收起 展开
QQ客服
我的专属客服
工作时间

周一至周六:09:00-12:00

13:30-18:30

投诉电话:0755-82566015

微信客服

扫一扫,加我微信

0 优惠券 0 购物车 BOM配单 我的询价 TOP