在电子电路的设计和实际应用过程中，三极管和MOSFET可以说是非常常见和重要的元件。它们各自有着不同的特点和优势，因此在使用时需要根据具体需求选择合适的元件。其中，一个重要的区别就是三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds。

首先，让我们来看看什么是饱和。在电子元件中，饱和指的是当其工作状态已经达到了极限，无法再继续增大或变化。对于三极管而言，饱和指的是当它的基极电压（Vbe）已经足够高，使得电流可以完全流过，此时集电极和发射极之间的电阻（Rce）将尽可能的减小。而对于MOSFET，饱和指的是当它的栅极电压（Vgs）已经足够高，使得在其通道内形成一个足够大的电场，此时漏极和源极之间的电阻（Rds）将尽可能的减小。

由于三极管和MOSFET的结构和工作原理不同，因此它们在饱和状态下的电压和电阻也有所区别。三极管在饱和状态下的电压一般比较低，而电阻也相对较小，这使得它非常适合用于大电流、高功率的应用场合。而MOSFET在饱和状态下的电压较高，电阻也相对较大，因此适合用于低功率、高速度的应用场合。

关于三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds，这主要是因为它们在饱和状态下的特性不同。在三极管的饱和状态下，由于其Rce较小，因此电流可以通过它的集电极和发射极，使整个电路保持稳定。而在MOSFET的饱和状态下，由于其Vds较小，可以使漏极和源极之间的电阻尽量缩小，从而使电路的响应速度更快，更适合用于数字电子电路和高频电路。

总之，无论是三极管还是MOSFET，它们各自都有自己的优点和适用范围。在进行电子电路设计和应用时，需要深入了解它们的特性和差异，以便进行合理选择和应用。