短沟道 MOS 晶体管（Short-Channel MOSFET）是当今处理器芯片中最重要的结构之一，它已经成为数字电路中的主要组成部分。然而，在这种器件中，漏电流的增加对设备的性能和可靠性存在着重大的影响。

漏电流是一种常见的现象，在许多电子设备中都会出现。尽管在晶体管中也存在漏电流，但在短沟道 MOSFET中，漏电流成分较高，这一点的降低对于器件的性能至关重要。

其中，短通道效应（Short Channel Effect）和隧道效应（Tunneling Effect）是两个可能造成漏电流增加的原因。短通道效应指的是当晶体管的沟道长度变得很小时，这样会让电子轻易地穿过沟道到达了源和漏极，从而导致漏电流的增加。另外，隧道效应是一种引起漏电流的物理现象，它会导致电子隧穿晶体管的氧化层，在漏电流中形成隧道，从而使得漏电流进一步增加。

为了降低短沟道 MOSFET中的漏电流成分，一种解决策略是使用新材料和器件设计。例如，使用硅碳合金材料可以缓解短通道效应，而采用氧化层中添加含氧化镧（La2O3）和氧化铈（CeO2）的高介电常数（high-k）材料则可以降低隧道效应。此外，对于特定的应用，采用晶体管结构的优化设计，也可以达到降低漏电流的效果。

总之，在当今越来越追求功耗和性能平衡的应用环境中，对于短沟道 MOSFET中漏电流成分的了解和解决策略的提出是至关重要的。仅通过继续优化设计和材料选择方案，才能最终满足高性能数字电路的要求和市场需求。