ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
更新时间：2026-03-17 09:42:29
晨欣小编
ROHM公司近日宣布，已经开发出一款具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET产品，该产品名为R αsona，针对电动车、太阳能逆变器以及工业用途应用而设计。
ROHM的新款Nch MOSFET具有优异的导通电阻特性，其导通电阻低至5.2mΩ （VGS=10V， ID=67A）；此外，在二极管反向恢复时间上也比普通的MOSFET有了40%以上的改善。
ROHM公司表示，R αsona产品还具备超低的开关损耗和峰值电压，能够有效地减少电动车和工业设备的能量消耗，进而提高设备的效率和使用寿命。
此外，R αsona还支持高电压负载和电流冲击能力，能够保证设备在高压、大电流的负载操作下也能正常工作。
ROHM公司是一家半导体和电子元器件制造商，致力于为汽车、电子、工业和其他领域提供符合市场需求的创新解决方案。新款Nch MOSFET的推出，标志着ROHM公司继续发扬科技创新的精神，带来更加高效节能的产品和服务，为车联网、智能家居和工业智能化等领域的发展提供新的动力和技术支持。
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