DTA114EKAT146晶体管参数信息

 

 

晨欣小编

2023-03-30 13:22:07


额定功率200mW集电极电流Ic50mA
集射极击穿电压Vce50V晶体管类型PNP - 预偏压
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA频率 - 跃迁250MHz
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
安装类型表面贴装型不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 5mA,5V
功率 - 最大值200mW晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SMT3


 

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